کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
1789577 | 1524386 | 2016 | 5 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
InAs homoepitaxy and InAs/AlSb/GaSb resonant interband tunneling diodes on InAs substrate
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
فیزیک و نجوم
فیزیک ماده چگال
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
In this paper, the optimal conditions for growth of homoepitaxial InAs layer on InAs (001) substrate by molecular beam epitaxy were investigated over wide growth temperatures and As/In flux ratios. The oxide remove process is important and both the As/In flux ratio and growth temperature is in narrow range for InAs homoepitaxy. The high quality homoepitaxy has an RMS surface roughness of 0.26Â nm measured by atomic force microscopy. High quality lattice matched InAs/AlSb/GaSb/InAs/AlSb/InAs double barrier resonant interband tunneling diodes was grown on InAs (001) substrate on the optimal condition. It shows high peak-valley current ratios of 105 at 77Â K and 15 at room temperature.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Journal of Crystal Growth - Volume 443, 1 June 2016, Pages 85-89
Journal: Journal of Crystal Growth - Volume 443, 1 June 2016, Pages 85-89
نویسندگان
Wei Xiang, Guowei Wang, Hongyue Hao, Yongping Liao, Xi Han, Lichun Zhang, Yingqiang Xu, Zhengwei Ren, Haiqiao Ni, Zhenhong He, Zhichuan Niu,