کد مقاله کد نشریه سال انتشار مقاله انگلیسی نسخه تمام متن
1792066 1023630 2011 5 صفحه PDF دانلود رایگان
عنوان انگلیسی مقاله ISI
High quality InAs and GaSb thin layers grown on Si (1 1 1)
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه فیزیک و نجوم فیزیک ماده چگال
پیش نمایش صفحه اول مقاله
High quality InAs and GaSb thin layers grown on Si (1 1 1)
چکیده انگلیسی
► InAs layer growth on Si (1 1 1) by MOVPE. ► GaSb on InAs (1 1 1). ► GaSb nanowire growth on GaSb (1 1 1).
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Journal of Crystal Growth - Volume 332, Issue 1, 1 October 2011, Pages 12-16
نویسندگان
, , , ,