دانلود مقالات ISI درباره B2 مواد نیمه هادی III-V + ترجمه فارسی

Atomic ordering of AlInP grown by MOVPE using TBP with different V/III ratios in pure ambient N2

Keywords: B2 مواد نیمه هادی III-V; A1. Spontaneous atomic ordering; A3. Organometallic vapor phase epitaxy; B2. Semiconducting III-V materials

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2010 سفارش ترجمه

Au-catalyst-free epitaxy of InAs nanowires

Keywords: B2 مواد نیمه هادی III-V; A1. Nanostructures; A3. Metalorganic vapor phase epitaxy; B1. Nanomaterials; B1. InAs; B2. Semiconducting III-V materials

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2010 سفارش ترجمه

AlxGa1−xN bulk crystal growth: Crystallographic properties and p–T phase diagram

Keywords: B2 مواد نیمه هادی III-V; A1. Phase diagrams; A2. Growth from solutions; A2. Single crystal growth; A2. High-pressure crystal growth; B1. AlGAN; B2. Semiconducting III-V materials

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 8 صفحه سال انتشار : 2010 سفارش ترجمه

Extended defects in bulk GaN and III-nitrides grown on this substrate

Keywords: B2 مواد نیمه هادی III-V; A1. Line defects; A1. Planar defects; A2. Growth from solution; B1. Nitrides; B2. Semiconducting III-V materials

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 8 صفحه سال انتشار : 2010 سفارش ترجمه

Photovoltaic characteristics of InAs/InGaAs/GaAs QD heterostructures

Keywords: B2 مواد نیمه هادی III-V; 68.65.Hb; 72.40.+wA1. Nanostructures; A3. Molecular beam epitaxy; B1. Arsenates; B1. Nanomaterials; B2. Semiconducting III-V materials; B3. Solar cells

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2009 سفارش ترجمه

First principles studies on In-related nitride semiconductors

Keywords: B2 مواد نیمه هادی III-V; 71.55.Eq; 71.55−iB1. Nitrides; B2. Semiconducting III-V materials; B2. Semiconducting Indium compounds

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2009 سفارش ترجمه

Decomposition of InN at high pressures and temperatures and its thermal instability at ambient conditions

Keywords: B2 مواد نیمه هادی III-V; 05.70.−aA1. Phase equilibria; B1. Nitrides; B2. Semiconducting III-V materials

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2008 سفارش ترجمه

Low-temperature transport properties in AlxGa1−xAsySb1−y/InAs quantum wells: Well-width dependence

Keywords: B2 مواد نیمه هادی III-V; 73.23.-b; 73.61.Ey; 73.63.HsA1. Electron–electron interaction; A1. InAs quantum well; A1. Negative magnetoresistance; A1. Quantum Hall effect; A1. Weak localization; B2. Semiconducting III-V materials

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2007 سفارش ترجمه

Atomic core configurations of the a⇒-screw basal dislocation in wurtzite GaN

Keywords: B2 مواد نیمه هادی III-V; A1. Line defects; B1. Nitrides; B2. Semiconducting III-V materials

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2007 سفارش ترجمه

AlN growth on sapphire substrate by ammonia MBE

Keywords: B2 مواد نیمه هادی III-V; 81.05.Ea; 81.15.Hi; 68.37.Ps; 68.55.JkA1. Crystal morphology; A3. Molecular beam epitaxy; B1. Nitrides; B2. Semiconducting III-V materials

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 6 صفحه سال انتشار : 2007 سفارش ترجمه

A comparison of dominant recombination mechanisms in n-type InAsSb materials

Keywords: B2 مواد نیمه هادی III-V; B2. Semiconducting ternary compounds; B2. Semiconducting III-V materials; B2. Semiconducting indium compounds; A1. Antimonides; B3. Infrared devices

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 7 صفحه سال انتشار : 2006 سفارش ترجمه

Zn diffusion behavior at the InGaAsP/InP heterointerface grown using MOCVD

Keywords: B2 مواد نیمه هادی III-V; 78.40.Fy; 78.20.Ci; 78.20.Bh; 78.66.FdA1. Diffusion; A3. Metalorganic vapor phase epitaxy; B2. Semiconducting III-V materials

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 8 صفحه سال انتشار : 2006 سفارش ترجمه

InGaN laser diodes and high brightness light emitting diodes grown by molecular beam epitaxy

Keywords: B2 مواد نیمه هادی III-V; 42.55.Px; 81.15.Hi; 85.60.Jb; A3. Molecular beam epitaxy; B2. Semiconducting III-V materials; B3. Laser diodes; B3. Light emitting diodes;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 6 صفحه سال انتشار : 2005 سفارش ترجمه

High-quality and crack-free AlxGa1−xN (x∼0.2) grown on sapphire by a two-step growth method

Keywords: B2 مواد نیمه هادی III-V; 81.15.Gh; 68.55.Jk; 68.37.Sk; A1. X-ray diffraction; A3. Metalorganic chemical vapour deposition; B2. Semiconducting III-V materials;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 7 صفحه سال انتشار : 2005 سفارش ترجمه