دانلود مقالات ISI درباره B2 مواد نیمه هادی III-V + ترجمه فارسی

InSb/InAs/InGa(Al)As/GaAs(0 0 1) metamorphic nanoheterostructures grown by MBE and emitting beyond 3 μm

Keywords: B2 مواد نیمه هادی III-V; B2. Semiconducting III-V materials; B1. Antimonides; A3. Molecular beam epitaxy; A3. Quantum wells; B3. Infrared devices;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 10 صفحه سال انتشار : 2017 سفارش ترجمه

Growth of GaP and AlGaP on GaP(1 1 1)B using gas-source molecular-beam-epitaxy

Keywords: B2 مواد نیمه هادی III-V; A3. Molecular beam epitaxy; B2. Semiconducting III-V materials; A1. Roughening; A1. Morphological stability; A1. Surface structure;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 11 صفحه سال انتشار : 2017 سفارش ترجمه

The striking influence of rapid thermal annealing on InGaAsP grown by MBE: material and photovoltaic device

Keywords: B2 مواد نیمه هادی III-V; A3. Molecular beam epitaxy; B2. Semiconducting III-V materials; B3. Solar cells;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 11 صفحه سال انتشار : 2017 سفارش ترجمه

(GaIn)(NAs) growth using di-tertiary-butyl-arsano-amine (DTBAA)

Keywords: B2 مواد نیمه هادی III-V; A3. Metalorganic chemical vapor deposition; B1. Nitrides; B2. Semiconducting III-V materials; B2. Semiconducting gallium arsenide;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 12 صفحه سال انتشار : 2017 سفارش ترجمه

Doping control of GaAsPN alloys by molecular beam epitaxy for monolithic III-V/Si tandem solar cells

Keywords: B2 مواد نیمه هادی III-V; A1. Doping; A3. Molecular beam epitaxy; B1. Phosphide; B2. Semiconducting III-V materials;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 13 صفحه سال انتشار : 2017 سفارش ترجمه

Semipolar (202̅1) III-Nitride P-Down LEDs with in situ anneal to reduce the Mg memory effect

Keywords: B2 مواد نیمه هادی III-V; B3. Light emitting diodes; B2. Semiconducting III-V materials; A3. Metalorganic chemical vapor deposition; A1. Doping;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 13 صفحه سال انتشار : 2017 سفارش ترجمه

High-quality Ga-rich AlGaN grown on trapezoidal patterned GaN template using super-short period AlN/GaN superlattices for rapid coalescence

Keywords: B2 مواد نیمه هادی III-V; A1. Defect; A3. Selective epitaxy; A3. Metalorganic chemical vapor deposition; A3. Superlattices; B2. Semiconducting III-V materials;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 15 صفحه سال انتشار : 2017 سفارش ترجمه

Thermodynamic assessment and binary nucleation modeling of Sn-seeded InGaAs nanowires

Keywords: B2 مواد نیمه هادی III-V; A1. Phase diagrams; A1. Phase equilibria; A1. Nucleation; A1. Nanostructures; B2. Semiconducting III-V materials;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 15 صفحه سال انتشار : 2017 سفارش ترجمه

Hot-wall low pressure chemical vapor deposition growth and characterization of AlN thin films

Keywords: B2 مواد نیمه هادی III-V; A3. Hot wall epitaxy; A3. Low press. metalorganic vapor phase epitaxy; B1. Nitrides; B2. Semiconducting III-V materials; B2. Piezoelectric materials; B2. Semiconducting aluminum compounds;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 15 صفحه سال انتشار : 2017 سفارش ترجمه

Growth direction control of InAs nanowires on (0 0 1) Si substrate with SiO2/Si nano-trench

Keywords: B2 مواد نیمه هادی III-V; A1. Crystal morphology; A1. Nanostructure; A1. Nanowire; A3. Molecular beam epitaxy; B2. Semiconducting III-V materials;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 16 صفحه سال انتشار : 2017 سفارش ترجمه

Improved structural quality of AlN grown on sapphire by 3D/2D alternation growth

Keywords: B2 مواد نیمه هادی III-V; A1. Growth models; A1.Defects; A3. Metalorganic chemical vapor deposition; B2. Semiconducting III-V materials;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 17 صفحه سال انتشار : 2017 سفارش ترجمه

Dislocation densities reduction in MBE-grown AlN thin films by high-temperature annealing

Keywords: B2 مواد نیمه هادی III-V; B1. Nitrides; B2. Semiconducting III-V materials; A3. Molecular beam epitaxy; A1. X-ray diffraction; A1. Atomic force microscopy;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 18 صفحه سال انتشار : 2017 سفارش ترجمه

Strain and anisotropy effects studied in InAs/GaAs(2 2 1) quantum dashes by Raman spectroscopy

Keywords: B2 مواد نیمه هادی III-V; A1. Nanostructures; A1. Stresses; A1. Crystal structure; A1. Characterization; A3. Molecular beam epitaxy; B2. Semiconducting III-V materials;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 18 صفحه سال انتشار : 2017 سفارش ترجمه

Sensitivity of heterointerfaces on emission wavelength of quantum cascade lasers

Keywords: B2 مواد نیمه هادی III-V; A1. Interfaces; A1. Segregation; A3. Metalorganic vapor phase epitaxy; A3. Quantum wells; B2. Semiconducting III-V materials; B3. Infrared devices;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 19 صفحه سال انتشار : 2017 سفارش ترجمه

Design and fabrication of enhanced lateral growth for dislocation reduction in GaN using nanodashes

Keywords: B2 مواد نیمه هادی III-V; A1. Defects; A3. Metalorganic chemical vapour epitaxy; A3. Pendeoepitaxy; A3. Selective epitaxy; B1. Nitrides; B2. Semiconducting III-V materials;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 22 صفحه سال انتشار : 2017 سفارش ترجمه

MBE growth of strain-compensated InGaAs/InAlAs/InP quantum cascade lasers

Keywords: B2 مواد نیمه هادی III-V; A3. Molecular beam epitaxy; B2. Semiconducting III-V materials; B3. Quantum cascade lasers; A1. High resolution X-ray diffraction;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 23 صفحه سال انتشار : 2017 سفارش ترجمه

Magnetization in vertical MnAs/InAs heterojunction nanowires

Keywords: B2 مواد نیمه هادی III-V; A1. Nanostructures; A3. Metal-organic vapor phase epitaxy; B2. Magnetic materials; B2. Semiconducting III-V materials;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 26 صفحه سال انتشار : 2017 سفارش ترجمه

Capillary stability of vapor-liquid-solid crystallization processes and their comparison to Czochralski and Stepanov growth methods

Keywords: B2 مواد نیمه هادی III-V; A1. Nanostructures; A1. Growth models; B1. Nanowires; B1. Nanomaterials; B2. Semiconducting materials; B2. Semiconducting silicon; B2. Semiconducting III-V materials;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 28 صفحه سال انتشار : 2017 سفارش ترجمه

Effect of InSb/In0.9Al0.1Sb superlattice buffer layer on the structural and electronic properties of InSb films

Keywords: B2 مواد نیمه هادی III-V; A3. Molecular beam epitaxy; A3. Superlattice; B1. Antimonide; B2. Semiconducting III-V materials;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 29 صفحه سال انتشار : 2017 سفارش ترجمه

MBE growth and doping of AlGaP

Keywords: B2 مواد نیمه هادی III-V; A1. Doping; A3. Molecular beam epitaxy; B1. Phosphides; B2. Semiconducting III-V materials;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 33 صفحه سال انتشار : 2017 سفارش ترجمه

Growing c-axis oriented aluminum nitride films by Plasma-Enhanced Atomic Layer Deposition at low temperatures

Keywords: B2 مواد نیمه هادی III-V; A1. X-ray diffraction; A3. Atomic layer epitaxy; B1. Nitrides; B2. Semiconducting III-V materials; B2. Semiconducting aluminum compounds;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2016 سفارش ترجمه

Electrical properties of GaN-based heterostructures adopting InAlN/AlGaN bilayer barriers

Keywords: B2 مواد نیمه هادی III-V; A3. Metalorganic chemical vapor deposition; B1. Nitrides; B2. Semiconducting III-V materials;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2016 سفارش ترجمه

Wafer-scale crack-free AlGaN on GaN through two-step selective-area growth for optically pumped stimulated emission

Keywords: B2 مواد نیمه هادی III-V; A1. Crystal structure; A3. Metalorganic chemical vapor deposition; B1. Gallium compounds; B1. Nitrides; B2. Semiconducting III-V materials; B3. Laser diodes

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 6 صفحه سال انتشار : 2016 سفارش ترجمه

Heteroepitaxial growth of GaN on vertical Si{110} sidewalls formed on trench-etched Si(001) substrates

Keywords: B2 مواد نیمه هادی III-V; A3. Metalorganic chemical vapor deposition; B2. Semiconducting III-V materials; B1. Nitrides; A1. Microstructures; A3. Selective epitaxy; A1. Non-polar crystal structure

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 6 صفحه سال انتشار : 2016 سفارش ترجمه

Surfactant antimony enhanced indium incorporation on InGaN (0001¯) surface: A DFT study

Keywords: B2 مواد نیمه هادی III-V; A1. Computer simulation; A1. Surfaces; B1. Nitrides; B1. Gallium compounds; B2. Semiconducting III-V materials;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 6 صفحه سال انتشار : 2016 سفارش ترجمه

Novel approach for n-type doping of HVPE gallium nitride with germanium

Keywords: B2 مواد نیمه هادی III-V; A3. Hydride vapor phase epitaxy; A1. Doping; A2. Single Crystal Growth; B1. Gallium Compounds; B1. Nitrides; B2. Semiconducting III-V materials;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 12 صفحه سال انتشار : 2016 سفارش ترجمه

Theoretical and experimental study of highly textured GaAs on silicon using a graphene buffer layer

Keywords: B2 مواد نیمه هادی III-V; A3. Thin film; A3. Molecular beam epitaxy; B2. Semiconducting gallium arsenide; B2. Semiconducting III-V materials; B2. Semiconducting silicon;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 6 صفحه سال انتشار : 2015 سفارش ترجمه

Interruption-free growth of 10 μm-thick GaN film prepared on sputtered AlN/PSS template by hydride vapor phase epitaxy

Keywords: B2 مواد نیمه هادی III-V; A1. High resolution X-ray diffraction; A3. Metalorganic chemical vapor deposition; A3. Hydride vapor phase epitaxy; B1. Gallium nitride; B2. Semiconducting III-V materials; Aluminum nitride buffer layer

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 6 صفحه سال انتشار : 2015 سفارش ترجمه

Growth of InGaN nanopyramid arrays on Si for potential photovoltaic applications

Keywords: B2 مواد نیمه هادی III-V; A1. Nanostructures; A3. Metalorganic chemical vapor deposition; A3. Selective epitaxy; B1. InGaN; B2. Semiconducting III-V materials;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 10 صفحه سال انتشار : 2015 سفارش ترجمه

Bottom-up engineering of InAs at the nanoscale: From V-shaped nanomembranes to nanowires

Keywords: B2 مواد نیمه هادی III-V; A1. Crystal morphology; A1. Nanomembranes; A1. Nanostructures; A3. Molecular beam epitaxy; B2. Semiconducting III-V materials;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 10 صفحه سال انتشار : 2015 سفارش ترجمه

The growth of Sea-urchin-like AlN nanostructures by modified CVD and their Field Emission properties

Keywords: B2 مواد نیمه هادی III-V; A1. Characterization; A1. Crystal morphology; A1. Nanostructures; A3. Chemical vapor deposition processes; B1. Nanomaterials; B2. Semiconducting III-V materials;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 16 صفحه سال انتشار : 2015 سفارش ترجمه

Effect of H2 carrier gas on the physical properties of a GaN layer grown using Ga2O vapor and NH3

Keywords: B2 مواد نیمه هادی III-V; A1. Line defects; A1. Impurities; A2. Single crystal growth; A3. Vapor phase epitaxy; B1. Nitrides; B2. Semiconducting III-V materials;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2014 سفارش ترجمه

Quantitative monitoring of InAs quantum dot growth using X-ray diffraction

Keywords: B2 مواد نیمه هادی III-V; A1. X-ray diffraction; A3. Molecular beam epitaxy; B2. Semiconducting III-V materials

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2014 سفارش ترجمه

Effect of Ga deposition rates on GaSb nanostructures grown by droplet epitaxy

Keywords: B2 مواد نیمه هادی III-V; A1. Nanostructures; A3. Droplet epitaxy; A3. Molecular beam epitaxy; B1. GaSb; B2. Semiconducting III-V materials;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 6 صفحه سال انتشار : 2014 سفارش ترجمه

Vacancy-hydrogen complexes in ammonothermal GaN

Keywords: B2 مواد نیمه هادی III-V; A1. Defects; A2. Single crystal growth; B1. Nitrides; B2. Semiconducting III-V materials;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 18 صفحه سال انتشار : 2014 سفارش ترجمه

Step graded buffer for (110) InSb quantum wells grown by molecular beam epitaxy

Keywords: B2 مواد نیمه هادی III-V; A1. Crystal morphology; A1. Surfaces; A3. Antimonides; A3. Molecular beam epitaxy; B2. Semiconducting III-V materials;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 27 صفحه سال انتشار : 2014 سفارش ترجمه

Site-controlled growth of InP/GaInP islands on periodic hole patterns in GaAs substrates produced by microsphere photolithography

Keywords: B2 مواد نیمه هادی III-V; A1. Nanostructures; A3. Metalorganic vapor phase epitaxy; B2. Semiconducting III-V materials

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2013 سفارش ترجمه

Growth and characterization of a-plane (112¯0) GaN films on (010) LiGaO2 substrate by chemical vapor deposition

Keywords: B2 مواد نیمه هادی III-V; A1. X-ray diffraction; A3. Chemical vapor deposition processes; B1. Nitrides; B2. Semiconducting III-V materials

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2013 سفارش ترجمه

Kinetically limited growth of GaAsBi by molecular-beam epitaxy

Keywords: B2 مواد نیمه هادی III-V; A1. Atomic-Force Microscopy; A1. Growth Models; A1. Segregation; A3. Molecular-Beam Epitaxy; B1. Bismuth Compounds; B2. Semiconducting III-V Materials

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2012 سفارش ترجمه

Zinc-blende and wurtzite AlxGa1−xN bulk crystals grown by molecular beam epitaxy

Keywords: B2 مواد نیمه هادی III-V; A1. Substrates; A3. Molecular beam epitaxy; B1. Nitrides; B2. Semiconducting III-V materials;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2012 سفارش ترجمه

Cross-sectional transmission electron microscopy of GaAs quantum dots fabricated by filling of droplet-etched nanoholes

Keywords: B2 مواد نیمه هادی III-V; A1. Etching; A1. Nanostructures; A3. Molecular beam epitaxy; B2. Semiconducting III-V materials

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2011 سفارش ترجمه

Spontaneous formation of GaN nanostructures by molecular beam epitaxy

Keywords: B2 مواد نیمه هادی III-V; A1. Nanorods; A1. Nanostructures; A3. Molecular beam epitaxy; B1. GaN; B2. Semiconducting III-V materials; B3. Light emitting diodes

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2011 سفارش ترجمه

Stability of hydrogen on nonpolar and semipolar nitride surfaces: Role of surface orientation

Keywords: B2 مواد نیمه هادی III-V; A1. Computer simulation; A1. Surface structure; A2. Metalorganic vapor phase epitaxy; B1. Nitrides; B2. Semiconducting III-V materials;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2011 سفارش ترجمه

InAs/GaAs quantum dot density variation across a quarter wafer when grown with substrate rotation

Keywords: B2 مواد نیمه هادی III-V; A1. Scanning electron microscopy; A1. Quantum dot density variation; A3. Molecular beam epitaxy; A3. Quantum dots; B1. InAs/GaAs; B2. Semiconducting III-V materials;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2011 سفارش ترجمه

Study on photoluminescence of GaN-based UV-LEDs with refractive index gradient polymeric nanopatterns

Keywords: B2 مواد نیمه هادی III-V; A1. Nanostructures; B1. Gallium compounds; B1. Nanomaterials; B2. Semiconducting III-V materials; B3. Light emitting diodes;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2011 سفارش ترجمه

Molecular simulation predictions of miscibility characteristics and critical exponents in compound semiconductors

Keywords: B2 مواد نیمه هادی III-V; A1. Computer simulation; A1. Phase diagrams; A1. Solid solutions; B2. Semiconducting III-V materials; B2. Semiconducting II-VI materials; B2. Semiconducting ternary compounds

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 6 صفحه سال انتشار : 2011 سفارش ترجمه

Numerical investigation of pulsed chemical vapor deposition of aluminum nitride to reduce particle formation

Keywords: B2 مواد نیمه هادی III-V; A1. Computer simulation; A1. Growth Models; A3. Metalorganic Chemical Vapor Deposition; B1. Nitrides; B2. Semiconducting Aluminum Compounds; B2. Semiconducting III-V Materials

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 9 صفحه سال انتشار : 2011 سفارش ترجمه

Experimental investigation of dewetting models

Keywords: B2 مواد نیمه هادی III-V; A1. Oxidation; A1. Wetting; A2. Dewetted Bridgman; B2. Semiconducting III-V materials

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 10 صفحه سال انتشار : 2011 سفارش ترجمه

Rapid growth and characterization of InN nanocolumns on InGaN buffer layers at a low ratio of N/In

Keywords: B2 مواد نیمه هادی III-V; A3. Molecular beam epitaxy; B1. InN; B1. Nanocolumns; B2. Semiconducting III-V materials

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2010 سفارش ترجمه

Recent achievements in AMMONO-bulk method

Keywords: B2 مواد نیمه هادی III-V; A2. Growth from solutions; A2. Metalorganic vapor phase epitaxy; B1. Nitrides; B2. Semiconducting III-V materials

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2010 سفارش ترجمه