کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
8150711 | 1524425 | 2014 | 27 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Step graded buffer for (110) InSb quantum wells grown by molecular beam epitaxy
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
فیزیک و نجوم
فیزیک ماده چگال
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
We report on a two step buffer layer preparation for the growth of InSb quantum wells on a (110) GaAs surface. At each buffer layer step, layer conditions were optimized to produce smooth surfaces compatible with InSb quantum wells. Through varying growth rate, group V/III flux ratio, substrate temperature, and the addition of in situ annealing, we are able to grow In0.85Al0.15Sb on a GaAs substrate with an RMS surface roughness of approximately 2Â nm. Surface morphology and cross-sectional transmission electron microscopy (TEM) were analyzed to understand the formation of threading dislocations, inclusions and dislocation filtering. This work presents an initial study for the growth of large lattice mismatched III-V materials on the (110) surface.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Journal of Crystal Growth - Volume 404, 15 October 2014, Pages 122-129
Journal: Journal of Crystal Growth - Volume 404, 15 October 2014, Pages 122-129
نویسندگان
Adrian A. Podpirka, Mark E. Twigg, Joseph G. Tischler, Richard Magno, Brian R. Bennett,