دانلود مقالات ISI درباره A3. Antimonides + ترجمه فارسی

The formation of high number density InSb quantum dots, resulting from direct InSb/GaSb (001) heteroepitaxy

Keywords: A1. Nanostructures; A1. Semiconducting III-V materials; A3. Molecular beam epitaxy; A3. Antimonides;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2015 سفارش ترجمه

Step graded buffer for (110) InSb quantum wells grown by molecular beam epitaxy

Keywords: A1. Crystal morphology; A1. Surfaces; A3. Antimonides; A3. Molecular beam epitaxy; B2. Semiconducting III-V materials;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 27 صفحه سال انتشار : 2014 سفارش ترجمه

Preparation characterization of MnSb-GaAs spin LED

Keywords: A3. Molecular beam epitaxy; A3. Antimonides; B2. Magnetic materials; B2. Magneto-optic materials; B2. Gallium arsenide; B3. Light emitting diodes;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2011 سفارش ترجمه

Optimization of MBE-grown GaSb buffer layers and surface effects of antimony stabilization flux

Keywords: A1. Defects; A1. Surface structure; A3. Superlattices; A3. Antimonides; A3. Molecular beam epitaxy; B2. Semiconducting III-V materials; 81.05.Ea; 68.35.Dv; 68.37.−d; 68.60.−p; 68.65.Cd; 81.15.Hi; 71.55.Eq; 81.15.Ef;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 7 صفحه سال انتشار : 2010 سفارش ترجمه

Optimization of InAs/GaSb type-II superlattice interfaces for long-wave (∼8 μm) infrared detection

Keywords: A1. Interfaces; A1. Superlattices; A3. Antimonides; A3. Molecular beam epitaxy; B3. Infrared devices73.21.Cd; 71.55.Eq

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2009 سفارش ترجمه

Microstructure and solidification behavior of cast GaInSb alloys

Keywords: 81.05.Ea; 81.10.Aj; 81.30.FbA1. Segregation; A2. Growth from melt; A3. Antimonides; B2. Semiconducting III–V materials

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 6 صفحه سال انتشار : 2006 سفارش ترجمه

Characterization of undoped and Te-doped GaSb crystals grown by the vertical feeding method

Keywords: 81.05.Ea; 81.10.Fq; 61.72.Vv; A1. Cathodoluminescence; A1. Defects; A1. Segregation; A2. Growth from melt; A3. Antimonides; B2. Semiconducting III-V materials;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 6 صفحه سال انتشار : 2006 سفارش ترجمه

Solidification features of cast and vertically fed Te-doped GaSb materials

Keywords: 81.05.Ea; 81.10.Aj; 81.10.Fq; 61.72.Vv; A1. Cathodoluminescence; A1. Segregation; A2. Growth from melt; A3. Antimonides; B2. Semiconducting III-V materials;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 6 صفحه سال انتشار : 2006 سفارش ترجمه