کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
8149977 | 1524409 | 2015 | 5 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
The formation of high number density InSb quantum dots, resulting from direct InSb/GaSb (001) heteroepitaxy
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
فیزیک و نجوم
فیزیک ماده چگال
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
We report the direct deposition of indium antimonide, by molecular beam epitaxy (MBE) on gallium antimonide, resulting in the formation of quantum dots (QDs) with a maximum density of ~5.3Ã1010 cmâ2. Using reflection high energy electron diffraction (RHEED) and atomic force microscopy (AFM) for the analysis of samples with InSb depositions of 1-6 ML equivalent thickness, we observe an apparent value for the critical thickness for InSb/GaSb (001) deposition of 2.3±0.3 ML, for the growth temperatures of 275 °C and 320 °C.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Journal of Crystal Growth - Volume 420, 15 June 2015, Pages 1-5
Journal: Journal of Crystal Growth - Volume 420, 15 June 2015, Pages 1-5
نویسندگان
J.J. Bomphrey, M.J. Ashwin, T.S. Jones,