کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
1789553 | 1524382 | 2016 | 4 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Electrical properties of GaN-based heterostructures adopting InAlN/AlGaN bilayer barriers
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
فیزیک و نجوم
فیزیک ماده چگال
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
Electrical properties of GaN-based heterostructures adopting InAlN/AlGaN bilayer barriers are investigated by Hall-effect and current-voltage measurements. It is found that this structure possesses both merits of high two-dimensional electron gas (2DEG) density and low gate leakage current density, while maintaining high 2DEG mobility. Furthermore, temperature dependence of the 2DEG density in this structure is verified to follow a combined tendency of InAlN/GaN (increase) and AlGaN/GaN (decrease) heterostructures with increasing temperature from 90Â K to 400Â K, which is mainly caused by superposition of the effects from carrier thermal activation induced by extrinsic factors in InAlN layer and the reduced conduction-band discontinuity.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Journal of Crystal Growth - Volume 447, 1 August 2016, Pages 1-4
Journal: Journal of Crystal Growth - Volume 447, 1 August 2016, Pages 1-4
نویسندگان
Z.Y. Xu, F.J. Xu, C.C. Huang, J.M. Wang, X. Zhang, Z.J. Yang, X.Q. Wang, B. Shen,