کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
1792692 | 1023654 | 2010 | 8 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
AlxGa1−xN bulk crystal growth: Crystallographic properties and p–T phase diagram
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
فیزیک و نجوم
فیزیک ماده چگال
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
The recent results on the growth of the AlxGa1−xN bulk single crystals (0.22≤x≤0.91) from solution in liquid Ga under high nitrogen pressure are discussed. We focus on the influence of temperature and the choice of the Al source on the crystal growth. The experiments involving different sources of aluminum such as Al metal, pre-reacted polycrystalline AlyGa1−yN and AlN powder are compared. The best results were achieved using pre-reacted polycrystalline AlyGa1−yN or/and AlN. Single-crystal structure refinement data of these AlxGa1−xN crystals are presented. We also update the p–T phase diagram of (Al,Ga)N compound at high N2 pressure for various Al content, which is the basis for (Al,Ga)N synthesis.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Journal of Crystal Growth - Volume 312, Issue 18, 1 September 2010, Pages 2585–2592
Journal: Journal of Crystal Growth - Volume 312, Issue 18, 1 September 2010, Pages 2585–2592
نویسندگان
Andrey Belousov, S. Katrych, K. Hametner, D. Günther, J. Karpinski, B. Batlogg,