Keywords: بی ثباتی درجه حرارت اضطراب; Workfunction; Finfet; Bias temperature instability;
مقالات ISI بی ثباتی درجه حرارت اضطراب (ترجمه نشده)
مقالات زیر هنوز به فارسی ترجمه نشده اند.
در صورتی که به ترجمه آماده هر یک از مقالات زیر نیاز داشته باشید، می توانید سفارش دهید تا مترجمان با تجربه این مجموعه در اسرع وقت آن را برای شما ترجمه نمایند.
در صورتی که به ترجمه آماده هر یک از مقالات زیر نیاز داشته باشید، می توانید سفارش دهید تا مترجمان با تجربه این مجموعه در اسرع وقت آن را برای شما ترجمه نمایند.
Investigation of degradation mechanisms in low-voltage p-channel power MOSFETs under High Temperature Gate Bias stress
Keywords: بی ثباتی درجه حرارت اضطراب; Power MOSFET; Bias temperature instability; High Temperature Gate Bias;
Aging mitigation of L1 cache by exchanging instruction and data caches
Keywords: بی ثباتی درجه حرارت اضطراب; Aging; Bias temperature instability; On-chip memories; Threshold voltage;
Identification of oxide defects in semiconductor devices: A systematic approach linking DFT to rate equations and experimental evidence
Keywords: بی ثباتی درجه حرارت اضطراب; Charge trapping; RTN; Bias temperature instability; NBTI; PBTI; DFT; Charge transfer reactions;
Assessment of sense measurement duration on BTI degradation in MG/HK CMOS technologies using a novel stacked transistor test structure
Keywords: بی ثباتی درجه حرارت اضطراب; Bias Temperature Instability; Metal gate; High-k dielectrics; CMOS devices;
Reliability characterization of SiON and MGHK MOSFETs using flicker noise and its correlation with the bias temperature instability
Keywords: بی ثباتی درجه حرارت اضطراب; Low-frequency noise; High-K gate dielectrics; Poly-Si/SiON dielectrics; Bias temperature instability; Interface traps;
Comparison of NBTI aging on adder architectures and ring oscillators in the downscaling technology nodes
Keywords: بی ثباتی درجه حرارت اضطراب; Bias temperature instability; Integrated circuit reliability; Aging; Planar FET; FinFET; Library characterization
High speed Bias Temperature Instability measurements on 20 nm RMG HKMG MOSFETs
Keywords: بی ثباتی درجه حرارت اضطراب; Bias Temperature Instability; Ultra-fast measurement; WGFMU; Recovery; EOL projection
Analytical model for anomalous Positive Bias Temperature Instability in La-based HfO2 nFETs based on independent characterization of charging components
Keywords: بی ثباتی درجه حرارت اضطراب; Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor (MOSFET); Bias temperature instability; Hafnium oxide; Silicon oxide;
Impact of duty factor, stress stimuli, gate and drive strength on gate delay degradation with an atomistic trap-based BTI model
Keywords: بی ثباتی درجه حرارت اضطراب; Reliability; Bias temperature instability; Atomistic trap-based model; Periodic vs. non-periodic stimuli; Gate degradation; Drive strength;
Effect of plasma process-induced damage on bias temperature instability of MOSFETs
Keywords: بی ثباتی درجه حرارت اضطراب; Gate oxide integrity; Bias temperature instability; Plasma process-induced damage; Interface state degradation; Latent plasma process-induced damage