کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
6944170 | 1450372 | 2013 | 4 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Analytical model for anomalous Positive Bias Temperature Instability in La-based HfO2 nFETs based on independent characterization of charging components
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی کامپیوتر
سخت افزارها و معماری
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
- PBTI improvement in HfO2 nFETs achieved by a controlled insertion of La.
- Anomalous negative ÎVTH due to charge exchange between high-k and metal gate.
- Anomalous and conventional PBTI components are decoupled and studied separately.
- Analytical model including both components for lifetime extrapolation is presented.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Microelectronic Engineering - Volume 109, September 2013, Pages 314-317
Journal: Microelectronic Engineering - Volume 109, September 2013, Pages 314-317
نویسندگان
M. Toledano-Luque, B. Kaczer, M. Aoulaiche, A. Spessot, Ph.J. Roussel, R. Ritzenthaler, T. Schram, A. Thean, G. Groeseneken,