دانلود مقالات ISI درباره طرح نگاری الکترونی، لیتوگرافی پرتو الکترونی + ترجمه فارسی

لیتوگرافی یا طرح نگاری الکترونی در اوایل دهه ۱۹۶۰ میلادی تقریباً هم همان زمان با طرح نگاری نوری ابداع شد. طرح نگار الکترونی از میکروسکوپ الکترونی روبشی (SEM) منشعب شده و بسیار شبیه آن است. این روش تنها با کشف پلیمر حساس به الکترون معروف به پلی(متیل متاکریلات) (PMMA)، امکان پذیر شد. لیتوگرافی پرتو الکترونی، یکی از جایگزین های پیش رو است که به جای نور از پرتو الکترون استفاده می‌کند. در این روش، طرح مدار با استفاده از پرتو الکترون روی لایه‌ی نازکی از پلیمر نوشته می شود. پرتو الکترون در ابعاد اتمی پراشیده نمی شود، بنابراین لبه های طرح، دیگر ناخوانا نیستند. محققان از این روش برای ترسیم خطوطی با پهنای چند نانومتر روی سطح سیلیکون آغشته به فوتورِزیست استفاده کرده اند. با این حال، ابزارهای پرتو الکترونی که امروزه وجود دارند، برای تولید انبوه در صنعت مناسب نیستند. زیرا این روش کُند است؛ این کار شبیه نسخه برداری از روی یک نوشته با دست است. طرح نگاری در ابعاد نانومتری یکی از گلوگاه های اصلی فناوری الکترونیک است که در ساخت مدارهای مجتمع کاربرد فراوانی دارد. گرچه سرعت طرح نگار الکترونی در مقایسه با طرح نگار نوری پایین تر است، اما این روش از چند جهت اهمیت دارد: وضوح بسیار بالا، سادگی نسبی، قابلیت تبدیل شدن به میکروسکوپ الکترونی روبشی، امکان ساخت ماسک برای طرح نگار نوری، کاهش هزینه ساخت و در نتیجه موازی سازی فرآیند.