![این مقاله در پایگاه ساینس دایرکت منتشر شده است Elsevier - ScienceDirect - الزویر - ساینس دایرکت](/assets/img/Elsevier-Logo.png)
TCAD simulation capabilities towards gate leakage current analysis of advanced AlGaN/GaN HEMT devices
Keywords: دروازه جریان; GaN HEMT; TCAD; Simulation; Gate current; AlGaN/GaN;gate leakage; Reliability; Tunneling; Traps;