کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
10365667 | 872161 | 2014 | 6 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Decrease in on-state gate current of AlGaN/GaN HEMTs by recombination-enhanced defect reaction of generated hot carriers investigated by TCAD simulation
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی کامپیوتر
سخت افزارها و معماری
پیش نمایش صفحه اول مقاله
![عکس صفحه اول مقاله: Decrease in on-state gate current of AlGaN/GaN HEMTs by recombination-enhanced defect reaction of generated hot carriers investigated by TCAD simulation Decrease in on-state gate current of AlGaN/GaN HEMTs by recombination-enhanced defect reaction of generated hot carriers investigated by TCAD simulation](/preview/png/10365667.png)
چکیده انگلیسی
The on-state gate current of AlGaN/GaN HEMTs flows from the gate edge of the drain side to the AlGaN barrier..
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Microelectronics Reliability - Volume 54, Issue 12, December 2014, Pages 2662-2667
Journal: Microelectronics Reliability - Volume 54, Issue 12, December 2014, Pages 2662-2667
نویسندگان
Hajime Sasaki, Kaoru Kadoiwa, Hidetoshi Koyama, Yoshitaka Kamo, Yoshitsugu Yamamoto, Toshiyuki Oishi, Kazuo Hayashi,