![این مقاله در پایگاه ساینس دایرکت منتشر شده است Elsevier - ScienceDirect - الزویر - ساینس دایرکت](/assets/img/Elsevier-Logo.png)
Normally-off AlGaN/GaN-based MOS-HEMT with self-terminating TMAH wet recess etching
Keywords: افتتاح دروازه; Normally-off; Gate recess; Self-terminating wet etching; TMAH solution; Negligible hysteresis;