![این مقاله در پایگاه ساینس دایرکت منتشر شده است Elsevier - ScienceDirect - الزویر - ساینس دایرکت](/assets/img/Elsevier-Logo.png)
300 mm Czochralski silicon wafers optimized with respect to voids with laterally homogeneous oxygen precipitation
Keywords: گروه چهارم و ترکیبات; Group IV and compounds; Silicon; Nitrogen; Oxygen precipitation