دانلود مقالات ISI درباره گروه چهارم و ترکیبات + ترجمه فارسی

300 mm Czochralski silicon wafers optimized with respect to voids with laterally homogeneous oxygen precipitation

Keywords: گروه چهارم و ترکیبات; Group IV and compounds; Silicon; Nitrogen; Oxygen precipitation

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2012 سفارش ترجمه

Experimental and theoretical study of the thermal solubility of the vacancy in germanium

Keywords: گروه چهارم و ترکیبات; Group IV and compounds; Experiment; Ge; Point defects; DLTS

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2009 سفارش ترجمه

Effects of germanium doping on the behavior of oxygen and carbon impurities and impurity-related complexes in Si

Keywords: گروه چهارم و ترکیبات; Experiment; Group IV and compounds; Ge-doped Si; Electron irradiation;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2009 سفارش ترجمه

Behaviour of defects in semi-insulating 4H-SiC after ultra-high temperature anneal treatments

Keywords: گروه چهارم و ترکیبات; Group IV and compounds; Experiment; Magnetic resonance; Photoluminescence

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2007 سفارش ترجمه

Iron impurities in multicrystalline silicon studied by Mössbauer spectroscopy

Keywords: گروه چهارم و ترکیبات; Photovoltaics; Group IV and compounds; Experiment; Carrier trapping centers; Imaging;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2007 سفارش ترجمه

An attempt to specify thermal history in CZ silicon wafers and possibilities for its modification

Keywords: گروه چهارم و ترکیبات; Group IV and compounds; Modeling; Experiment; Silicon; Thermal history; Oxygen precipitation

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2007 سفارش ترجمه

Diffusion of transition-metal impurities in silicon

Keywords: گروه چهارم و ترکیبات; Theory; Group IV and compounds; Diffusion; Transition metal

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2007 سفارش ترجمه

Anomaly enhancement of the dislocation velocity in SiC

Keywords: گروه چهارم و ترکیبات; Group IV and compounds; Dislocations; Stacking faults;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2007 سفارش ترجمه

Interstitial carbon-related defects in Si1−xGex alloys

Keywords: گروه چهارم و ترکیبات; Group IV and compounds; Carbon; Irradiation; Annealing;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2007 سفارش ترجمه

Deep defect states in narrow band-gap semiconductors

Keywords: گروه چهارم و ترکیبات; 73.20.Hb; 71.55.-i-i; 61.46.HkTheory; Group IV and compounds; Narrow band-gap semiconductors; Deep defect states; Nanostructures

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2007 سفارش ترجمه