کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
1814966 | 1525254 | 2007 | 4 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Diffusion of transition-metal impurities in silicon
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
فیزیک و نجوم
فیزیک ماده چگال
پیش نمایش صفحه اول مقاله
![عکس صفحه اول مقاله: Diffusion of transition-metal impurities in silicon Diffusion of transition-metal impurities in silicon](/preview/png/1814966.png)
چکیده انگلیسی
Diffusion of 3d transition-metal impurities in silicon has been theoretically studied. The chemical trend in the diffusion barrier over all the elements is well reproduced by ab initio pseudopotential method. However, for heavier elements, the energy barriers are so low that the effect of the kinetic energy of atoms cannot be ignored. Various related energies are investigated by taking Cu as an example. The conditions for the presence of substitutional Cu are given.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Physica B: Condensed Matter - Volumes 401–402, 15 December 2007, Pages 151–154
Journal: Physica B: Condensed Matter - Volumes 401–402, 15 December 2007, Pages 151–154
نویسندگان
K. Matsukawa, K. Shirai, H. Yamaguchi, H. Katayama-Yoshida,