کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
1814946 | 1525254 | 2007 | 5 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Anomaly enhancement of the dislocation velocity in SiC
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
فیزیک و نجوم
فیزیک ماده چگال
پیش نمایش صفحه اول مقاله

چکیده انگلیسی
Under forward bias SiC p-i-n diodes exhibit an anomaly enhancement of the partial dislocation mobility. Through first-principle calculations, we have shown that Peierls barriers and electrical activities are strongly dependent on the dislocation core structures. Further we have found that solitons or antiphase defects along the dislocation line cannot explain alone the enhancement of the dislocation velocity. We have proposed a new theoretical model that can explain the enhancement of the dislocation mobility under forward bias. This model can be applied to any semiconductor materials in order to predict the behaviour under electron-hole plasma injections.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Physica B: Condensed Matter - Volumes 401â402, 15 December 2007, Pages 62-66
Journal: Physica B: Condensed Matter - Volumes 401â402, 15 December 2007, Pages 62-66
نویسندگان
Gianluca Savini, Giancarlo Savini, Angela Marocchi, Irene Suarez-Martinez, Gemma Haffenden, Malcolm I. Heggie, Sven Ãberg,