Keywords: استرس هوای داغ; Plasma process induced damage; fWLR fast wafer level reliability monitoring; Charge trapping; MOS gate oxide; Device reliability; Hot carrier stress; Bias temperature stress;
مقالات ISI استرس هوای داغ (ترجمه نشده)
مقالات زیر هنوز به فارسی ترجمه نشده اند.
در صورتی که به ترجمه آماده هر یک از مقالات زیر نیاز داشته باشید، می توانید سفارش دهید تا مترجمان با تجربه این مجموعه در اسرع وقت آن را برای شما ترجمه نمایند.
در صورتی که به ترجمه آماده هر یک از مقالات زیر نیاز داشته باشید، می توانید سفارش دهید تا مترجمان با تجربه این مجموعه در اسرع وقت آن را برای شما ترجمه نمایند.
Keywords: استرس هوای داغ; Plasma process induced damage; Device reliability; Charge trapping; MOS gate oxide; Hot carrier stress; fWLR fast wafer level reliability monitoring;
Keywords: استرس هوای داغ; Fast wafer level reliability; Oxide breakdown; Negative bias temperature instability; Electromigration; Ring oscilator; Test structures; Plasma induced charging damage; Hot carrier stress; Well charging; Reliability monitoring;
Keywords: استرس هوای داغ; EMI; BJT; Hot carrier stress
The device characteristics of Ir- and Ti-based Schottky gates AlSb/InAs high electron mobility transistors
Keywords: استرس هوای داغ; Iridium; AlSb/InAs; Hot carrier stress; Reliability
Hot carrier effect on a single SiGe HBT's EMI response
Keywords: استرس هوای داغ; SiGe HBT; Hot carrier stress; EMI
HCS degradation of 5Â nm oxide high-voltage PLDMOS
Keywords: استرس هوای داغ; PLDMOS; Hot carrier stress; TCAD simulation;
Investigation of temperature-dependent asymmetric degradation behavior induced by hot carrier effect in oxygen ambiance in In–Ga–Zn-O thin film transistors
Keywords: استرس هوای داغ; Indium gallium zinc oxide (IGZO); Thin film transistors (TFTs); Light illumination; Hot carrier stress
Effects of hot-carrier stress on high performance polycrystalline silicon thin film transistor with a single perpendicular grain boundary
Keywords: استرس هوای داغ; Perpendicular grain boundary; Hot carrier stress; High current stress; Poly-Si TFT
Fowler–Nordheim and hot carrier reliabilities of U-shaped trench-gated transistors studied by three terminal charge pumping
Keywords: استرس هوای داغ; Charge pumping; Fowler–Nordheim stress; Hot carrier stress; MOSFET