کد مقاله کد نشریه سال انتشار مقاله انگلیسی نسخه تمام متن
11016447 1777112 2018 7 صفحه PDF دانلود رایگان
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Variation-resilient quantifiable plasma process induced damage monitoring
ترجمه فارسی عنوان
فرایند پلاسمای اندازه گیری انحصاری تناوبی باعث نظارت بر خسارت می شود
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه مهندسی کامپیوتر سخت افزارها و معماری
چکیده انگلیسی
For some excursions detected by the fast diagnostic stresses the effect on the device lifetimes will be analysed with long term MOS device stresses. The physical reason for this will be discussed in a simple model of the devices' band structures.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Microelectronics Reliability - Volumes 88–90, September 2018, Pages 152-158
نویسندگان
, ,