کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
11016447 | 1777112 | 2018 | 7 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Variation-resilient quantifiable plasma process induced damage monitoring
ترجمه فارسی عنوان
فرایند پلاسمای اندازه گیری انحصاری تناوبی باعث نظارت بر خسارت می شود
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی کامپیوتر
سخت افزارها و معماری
چکیده انگلیسی
For some excursions detected by the fast diagnostic stresses the effect on the device lifetimes will be analysed with long term MOS device stresses. The physical reason for this will be discussed in a simple model of the devices' band structures.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Microelectronics Reliability - Volumes 88â90, September 2018, Pages 152-158
Journal: Microelectronics Reliability - Volumes 88â90, September 2018, Pages 152-158
نویسندگان
D. Beckmeier, A. Martin,