Keywords: فشار تنش برانگیز; Plasma process induced damage; fWLR fast wafer level reliability monitoring; Charge trapping; MOS gate oxide; Device reliability; Hot carrier stress; Bias temperature stress;
مقالات ISI فشار تنش برانگیز (ترجمه نشده)
مقالات زیر هنوز به فارسی ترجمه نشده اند.
در صورتی که به ترجمه آماده هر یک از مقالات زیر نیاز داشته باشید، می توانید سفارش دهید تا مترجمان با تجربه این مجموعه در اسرع وقت آن را برای شما ترجمه نمایند.
در صورتی که به ترجمه آماده هر یک از مقالات زیر نیاز داشته باشید، می توانید سفارش دهید تا مترجمان با تجربه این مجموعه در اسرع وقت آن را برای شما ترجمه نمایند.
Keywords: فشار تنش برانگیز; IGZO; ITZO; N2O plasma treatment; Bias temperature stress; AMOLED
Characterization of Ru-Mn composites for ULSI interconnects
Keywords: فشار تنش برانگیز; Ruthenium composite; Ru-Mn; Cu diffusion barrier; Direct Cu plating; Bias temperature stress;
Bias polarity and frequency effects of Cu-induced dielectric breakdown in damascene Cu interconnects
Keywords: فشار تنش برانگیز; Time dependent dielectric breakdown; ILD breakdown; Alternating polarity; Bias temperature stress
Electrical Evaluation of Ru–W(-N), Ru–Ta(-N) and Ru–Mn films as Cu diffusion barriers
Keywords: فشار تنش برانگیز; Cu diffusion barrier; Ru composites; Bias temperature stress; Triangular voltage sweep
Comparison of PVD, PECVD & PEALD Ru(-C) films as Cu diffusion barriers by means of bias temperature stress measurements
Keywords: فشار تنش برانگیز; Ru-C; Bias temperature stress; Triangular voltage sweep; Diffusion barrier; PEALD
From defects creation to circuit reliability – A bottom-up approach (invited)
Keywords: فشار تنش برانگیز; Channel cold carriers; Hot-Carrier degradation; Ultra-thin gate-oxide; Interface traps generation; Border traps; Trapped oxide charges; Device lifetime; Multi vibrational excitation; Bias temperature stress; Design-in Reliability; Spice models
Study of Cu diffusion behavior in low dielectric constant SiOC(–H) films deposited by plasma-enhanced chemical vapor deposition
Keywords: فشار تنش برانگیز; Low-k materials; SiOC(–H) films; PECVD; Bias temperature stress; Cu metallization; C–V; AES; TEM
Capacitance–voltage characteristics and device simulation of bias temperature stressed a-Si:H TFTs
Keywords: فشار تنش برانگیز; Amorphous silicon thin film transistor; Bias temperature stress; Capacitance–voltage characteristics; Device simulation; Non-uniform density of states; Non-uniform threshold voltage profile; Self-heating effect; Kink effect
Drain bias dependent bias temperature stress instability in a-Si:H TFT
Keywords: فشار تنش برانگیز; a-Si:H Thin film transistor; Bias temperature stress; Threshold voltage shift
Dielectric barriers, pore sealing, and metallization
Keywords: فشار تنش برانگیز; Pore sealing; Diffusion barriers; Bias temperature stress; Parylene-N; Ruthenium;