Keywords: حافظه تصادفی مغناطیسی; Magnetic tunnel junction; Magnetic random access memory; Multi bits memory cell
مقالات ISI حافظه تصادفی مغناطیسی (ترجمه نشده)
مقالات زیر هنوز به فارسی ترجمه نشده اند.
در صورتی که به ترجمه آماده هر یک از مقالات زیر نیاز داشته باشید، می توانید سفارش دهید تا مترجمان با تجربه این مجموعه در اسرع وقت آن را برای شما ترجمه نمایند.
در صورتی که به ترجمه آماده هر یک از مقالات زیر نیاز داشته باشید، می توانید سفارش دهید تا مترجمان با تجربه این مجموعه در اسرع وقت آن را برای شما ترجمه نمایند.
Keywords: حافظه تصادفی مغناطیسی; Photoemission; Imaging; PEEM; Time resolved; Spin resolved; ToF momentum microscope; Spin filter; 2PPE; two-photon photoemission; ARPES; angular resolved photoemission spectroscopy; BBO; beta-barium borate; BFP; backfocal plane; CCD; charge-coupled device
Keywords: حافظه تصادفی مغناطیسی; Ballistic magnetization reversal; Giant magnetoresistance; Macrospin dynamics; Magnetic random access memory; Magnetization dynamics; Magnetization reversal; Perpendicular magnetic anisotropy; Spin transfer torque; Spin transfer torque switching; Spin val
Superparamagnetic ground state of CoFeB/MgO magnetic tunnel junction with dual-barrier
Keywords: حافظه تصادفی مغناطیسی; Magnetic random access memory; Magnetic tunnel junction; Perpendicular magnetic anisotropy; Spin-valve;
Anisotropic etching of CoFeB magnetic thin films in C2H5OH/Ar plasma
Keywords: حافظه تصادفی مغناطیسی; Cobalt iron boron; Thin films; Inductively coupled plasma reactive ion etching; Ethanol; Magnetic random access memory;
Inductively coupled plasma reactive ion etching of CoFeB magnetic thin films in a CH3COOH/Ar gas mixture
Keywords: حافظه تصادفی مغناطیسی; CoFeB thin film; Inductively coupled plasma reactive ion etching; CH3COOH gas; Magnetic random access memory
Etch characteristics of MgO thin films in Cl2/Ar, CH3OH/Ar and CH4/Ar plasmas
Keywords: حافظه تصادفی مغناطیسی; MgO films; Magnetic random access memory; Dry etching; CH4/Ar gas; Hard mask;
Inductively coupled plasma reactive ion etching of magnetic tunnel junction stacks using H2O/CH4 mixture
Keywords: حافظه تصادفی مغناطیسی; Magnetic random access memory; Magnetic tunnel junction stack; Inductively coupled plasma reactive ion etching; H2O/CH4/Ar
Parameter dependence of resonant spin torque magnetization reversal
Keywords: حافظه تصادفی مغناطیسی; Spin transfer torque; Magnetization dynamics; Magnetic random access memory; Magnetic tunnel junction;
Instability of storage and temperature increment in nanopillars due to human body model electrostatic discharge
Keywords: حافظه تصادفی مغناطیسی; Electrostatic discharge; Current induced magnetization switching; Tunneling magnetoresistance; Magnetic random access memory
Effects of defects on the switching properties of the nanostructured cells of a single layer and a synthetic ferrimagnet
Keywords: حافظه تصادفی مغناطیسی; Defects; Nanostructured magnetic cells; Single magnetic layer; Synthetic ferrimagnet; Switching properties; Thermal stability; Magnetic random access memory
Etch characteristics of magnetic tunnel junction stack with nanometer-sized patterns for magnetic random access memory
Keywords: حافظه تصادفی مغناطیسی; Magnetic random access memory; MTJ stack; Inductively coupled plasma reactive ion etching; Cl2/Ar; BCl3/Ar
Effects of induced anisotropy on the bit stability and switching field in magnetic random access memory
Keywords: حافظه تصادفی مغناطیسی; 85.70.Ay; 85.70.Li; 73.40.Gk; 75.30.Gw; Magnetic random access memory; Induced anisotropy; Bit stability; Switching field; Spin-flop switching;