دانلود مقالات ISI درباره Mos-Hemt + ترجمه فارسی

Normally-off AlGaN/AlN/GaN/Si oxide-passivated HEMTs and MOS-HEMTs by using CF4 plasma and ozone water oxidization treatment

Keywords: AlGaN/AlN/GaN; Normally-off; Oxide passivation; MOS-HEMT; Al2O3; Ozone water oxidization; CF4 plasma treatment;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2017 سفارش ترجمه

Comparative studies of normally-off Al0.26Ga0.74N/AlN/GaN/Si high electron mobility transistors with different gate structures

Keywords: AlGaN/AlN/GaN; Normally-off; Oxide passivation; MOS-HEMT; Al2O3; Ozone water oxidization; CF4 plasma treatment;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2017 سفارش ترجمه

Investigation of 'surface donors' in Al2O3/AlGaN/GaN metal-oxide-semiconductor heterostructures: Correlation of electrical, structural, and chemical properties

Keywords: AlGaN/GaN; MOS-HEMT; Surface donors; Interface states;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 6 صفحه سال انتشار : 2017 سفارش ترجمه

Effects of trap density on drain current LFN and its model development for E-mode GaN MOS-HEMT

Keywords: 2DEG; GaN; High -k; MOS-HEMT; TCAD;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 11 صفحه سال انتشار : 2017 سفارش ترجمه

Oxide thickness dependent compact model of channel noise for E-mode AlGaN/GaN MOS-HEMT

Keywords: AlGaN; Flicker noise; GaN; MOS-HEMT; Thermal noise; TCAD;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 24 صفحه سال انتشار : 2017 سفارش ترجمه

AlGaN/GaN MOS-HEMTs-on-Si employing sputtered TaN-based electrodes and HfO2 gate insulator

Keywords: TaN; GaN; MOS-HEMT; Sputtering; CMOS compatibility; Breakdown voltage

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2015 سفارش ترجمه

Analog/RF performance of AlInN/GaN underlap DG MOS-HEMT

Keywords: MOS-HEMT; Underlap; Heterostructure; RF/Analog analysis; AlInN; GaN;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 43 صفحه سال انتشار : 2015 سفارش ترجمه

Study of HfAlO/AlGaN/GaN MOS-HEMT with source field plate structure for improved breakdown voltage

Keywords: Source field plate; MOS-HEMT; AlGaN/GaN; Current collapse; Passivation; Breakdown voltage

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 6 صفحه سال انتشار : 2014 سفارش ترجمه

Composite HfO2/Al2O3-dielectric AlGaAs/InGaAs MOS-HEMTs by using RF sputtering/ozone water oxidation

Keywords: MOS-HEMT; High-k; Stacked gate dielectrics; InGaAs/AlGaAs;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 10 صفحه سال انتشار : 2014 سفارش ترجمه

Influence of barrier thickness on AlInN/GaN underlap DG MOSFET device performance

Keywords: Barrier layer; MOS-HEMT; Underlap; AlInN/GaN Heteorstructure; 2DEG; Analog/RF performance; Short channel effect;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 13 صفحه سال انتشار : 2013 سفارش ترجمه

Channel scaling of hybrid GaN MOS-HEMTs

Keywords: GaN; Device; MOS-HEMT; Scaling; Short channel;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2011 سفارش ترجمه

E-beam-evaporated Al2O3 for InAs/AlSb metal–oxide–semiconductor HEMT development

Keywords: InAs; Impact ionization; MOS-HEMT

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2010 سفارش ترجمه