کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
7942284 | 1513213 | 2015 | 43 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Analog/RF performance of AlInN/GaN underlap DG MOS-HEMT
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی مواد
مواد الکترونیکی، نوری و مغناطیسی
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
Investigation of Key analog and RF figures-of-merits is done for varying gate length, underlap length and barrier thickness. Transconductance = 5.34 mS/μm, Gain = 47 dB, fT = 786 GHz and fmax = 832 GHz obtained.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Superlattices and Microstructures - Volume 88, December 2015, Pages 508-517
Journal: Superlattices and Microstructures - Volume 88, December 2015, Pages 508-517
نویسندگان
Hemant Pardeshi,