Keywords: جریان مجدد ترکیب; Vertical all organic transistor; Recombination current; Poly(bithiophene);
مقالات ISI جریان مجدد ترکیب (ترجمه نشده)
مقالات زیر هنوز به فارسی ترجمه نشده اند.
در صورتی که به ترجمه آماده هر یک از مقالات زیر نیاز داشته باشید، می توانید سفارش دهید تا مترجمان با تجربه این مجموعه در اسرع وقت آن را برای شما ترجمه نمایند.
در صورتی که به ترجمه آماده هر یک از مقالات زیر نیاز داشته باشید، می توانید سفارش دهید تا مترجمان با تجربه این مجموعه در اسرع وقت آن را برای شما ترجمه نمایند.
Carrier recombination flux in bulk heterojunction polymer:fullerene solar cells: Effect of energy disorder on ideality factor
Keywords: جریان مجدد ترکیب; Organic photovoltaics; Recombination current; Energy disorder; Ideality factor
Defect induced non-ideal dark II–VV characteristics of solar cells
Keywords: جریان مجدد ترکیب; Solar cells; Silicon; Current–voltage characteristic; Recombination current; Shunts; Pre-breakdown
Effects of arsenic mole fraction x on the gain characteristics of type-II InP/GaAsxSb1âx DHBTs
Keywords: جریان مجدد ترکیب; 85.30.Pq; 79.60.Jv; 61.72.Ss; 43.60.Lh; 72.20.Jv; Double heterojunction bipolar transistors (DHBTs); GaAsSb; Band discontinuities; Current gain; Emitter size effects; Recombination current;
Temperature dependences of surface recombination DC current-voltage characteristics in MOS structures
Keywords: جریان مجدد ترکیب; 85.30.De; 85.30.Tv; 85.40.Ry; Recombination current; Interface traps; Energy distribution; Temperature dependence; Thermal activation energy; Reciprocal slope;
Relation between solar cell parameters and space degradation
Keywords: جریان مجدد ترکیب; Solar cells; Degradation; Diffusion current; Recombination current; GaAs
Influence of spacer layer on InP/InGaAs δ-doped heterojunction bipolar transistors
Keywords: جریان مجدد ترکیب; InP/InGaAs; δ-Doped; Heterojunction bipolar transistors; Spacer; Offset voltage; Potential spike; Recombination current;
The influence of a δ-doped sheet on DC performances of InP/InGaAs heterojunction bipolar transistors
Keywords: جریان مجدد ترکیب; δ-doped; InP/InGaAs; Heterojunction bipolar transistors; Potential spike; Recombination current; Offset voltage;