Keywords: حافظه دسترسی تصادفی مقاومتی; Resistance random access memory; Graphite-like carbon film; Magnetron sputtering
مقالات ISI حافظه دسترسی تصادفی مقاومتی (ترجمه نشده)
مقالات زیر هنوز به فارسی ترجمه نشده اند.
در صورتی که به ترجمه آماده هر یک از مقالات زیر نیاز داشته باشید، می توانید سفارش دهید تا مترجمان با تجربه این مجموعه در اسرع وقت آن را برای شما ترجمه نمایند.
در صورتی که به ترجمه آماده هر یک از مقالات زیر نیاز داشته باشید، می توانید سفارش دهید تا مترجمان با تجربه این مجموعه در اسرع وقت آن را برای شما ترجمه نمایند.
First-principles study of carbon impurity effects in the pseudo-hexagonal Ta2O5
Keywords: حافظه دسترسی تصادفی مقاومتی; Density-functional theory; Resistance random access memory; Ta2O5; Carbon impurity; Oxygen vacancy
Resistive switching effect for ZnO hybrid memory with metal-oxide nanocrystals
Keywords: حافظه دسترسی تصادفی مقاومتی; Nano-crystals; Hybrid; SnO2; Nonvolatile memory; Resistance random access memory; Polyimide;
Reproducible resistance switching for BaTiO3 thin films fabricated by RF-magnetron sputtering
Keywords: حافظه دسترسی تصادفی مقاومتی; Resistance random access memory; Resistance switching; Barium titanate; Perovskite; Sputtering; X-ray diffraction; Electrical properties and measurements
Strain imaging of a Cu2S switching device
Keywords: حافظه دسترسی تصادفی مقاومتی; Copper sulfide; Resistance random access memory; Solid electrolyte; Scanning probe microscopy
Highly durable and flexible memory based on resistance switching
Keywords: حافظه دسترسی تصادفی مقاومتی; Flexible; Resistance random access memory; γ-Irradiation
Oxide nanolayer improving RRAM operational performance
Keywords: حافظه دسترسی تصادفی مقاومتی; Resistance random access memory; Transition metal oxide; Switching; Thin film; Electron energy loss spectroscopy
Radio frequency sputter deposition of single phase cuprous oxide using Cu2O as a target material and its resistive switching properties
Keywords: حافظه دسترسی تصادفی مقاومتی; Resistance random access memory; Cuprous oxide; Resistive switching; X-ray diffraction; Electrical measurements and properties; X-ray photoelectron spectroscopy; Sputtering deposition
Effects of annealing temperature on the resistance switching behavior of CaCu3Ti4O12 films
Keywords: حافظه دسترسی تصادفی مقاومتی; CaCu3Ti4O12 (CCTO); Sol–gel; Resistance random access memory
Metalorganic chemical vapor deposition of metal oxide films exhibiting electric-pulse-induced resistance switching
Keywords: حافظه دسترسی تصادفی مقاومتی; MOCVD; Resistance switching; Resistance random access memory; Manganite;