دانلود مقالات ISI درباره افزایش انتشار گذرا + ترجمه فارسی

Effect of implantation damage on transient loss of phosphorus in silicon

Keywords: افزایش انتشار گذرا; Phosphorus; Implantation damage; Dose loss; Interface segregation; Transient enhanced diffusion

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2013 سفارش ترجمه

Modeling of the long-range interstitial migration of ion implanted boron

Keywords: افزایش انتشار گذرا; Semiconductors; Diffusion modeling; Transient enhanced diffusion; Impurity interstitials; Boron;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2010 سفارش ترجمه

Kinetic Monte Carlo study on boron diffusion posterior to pre-amorphization implant process

Keywords: افزایش انتشار گذرا; Transient enhanced diffusion; Kinetic Monte Carlo; Pre-amorphization implant

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2009 سفارش ترجمه

TCAD modeling and simulation of boron deactivation in NMOS carbon-implanted channel

Keywords: افزایش انتشار گذرا; TCAD; Transient enhanced diffusion; Carbon co-implant; Defect clustering

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2009 سفارش ترجمه

Diffusion modelling of low-energy ion-implanted BF2 in crystalline silicon: Study of fluorine vacancy effect on boron diffusion

Keywords: افزایش انتشار گذرا; Boron; Fluorine; Transient enhanced diffusion; Simulation

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2008 سفارش ترجمه

The impact of nitrogen co-implantation on boron ultra-shallow junction formation and underlying physical understanding

Keywords: افزایش انتشار گذرا; N co-implantation; Transient enhanced diffusion; Activation/deactivation; End-of-range; Defect

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 6 صفحه سال انتشار : 2008 سفارش ترجمه

From point defects to dislocation loops: A comprehensive modelling framework for self-interstitial defects in silicon

Keywords: افزایش انتشار گذرا; Extended defects; Kinetic Monte Carlo; Transient Enhanced Diffusion; Interstitials; Defect evolution; Ostwald ripenning

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 7 صفحه سال انتشار : 2008 سفارش ترجمه

First-principles studies of di-arsenic interstitial and its implications for arsenic-interstitial diffusion in crystalline silicon

Keywords: افزایش انتشار گذرا; Silicon; Arsenic; Interstitial; Transient enhanced diffusion

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2007 سفارش ترجمه

Interaction of ion-implantation-induced interstitials in B-doped SiGe

Keywords: افزایش انتشار گذرا; SiGe; Ion-implantation; Annealing; Dislocation loops; Transient enhanced diffusion;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2007 سفارش ترجمه

Continuum modeling of post-implantation damage and the effective plus factor in crystalline silicon at room temperature

Keywords: افزایش انتشار گذرا; Diffusion-limited kinetics; Ostwald ripening; Transient enhanced diffusion;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2006 سفارش ترجمه

An investigation on the modeling of boron-enhanced diffusion of ultralow energy implanted boron in silicon

Keywords: افزایش انتشار گذرا; Boron; Transient enhanced diffusion; Boron-enhanced diffusion; Simulation;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2005 سفارش ترجمه

Transient enhanced diffusion and deactivation of ion-implanted As in strained Si

Keywords: افزایش انتشار گذرا; 61.72.Cc; 61.72.Hh; 61.72.Ji; 61.72.Tt; 81.15.Gh; 83.85.St; Strain-relaxed SiGe; Strained silicon; Arsenic; Dopant activation; Transient enhanced diffusion; Strain effects; Rapid thermal annealing;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2005 سفارش ترجمه

Formation and control of box-shaped ultra-shallow junction using laser annealing and pre-amorphization implantation

Keywords: افزایش انتشار گذرا; Laser annealing; Pre-amorphization implantation; Ultra-shallow junction; Transient enhanced diffusion;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2005 سفارش ترجمه

Investigation on boron transient enhanced diffusion induced by the advanced P+/N ultra-shallow junction fabrication processes

Keywords: افزایش انتشار گذرا; 52.77.Dq; 61.72.Tt; Plasma doping; P+/N ultra-shallow junctions; Boron; Transient enhanced diffusion; Ultra-low energy implanter; Secondary ion mass spectrometry; Buried marker-layers;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 8 صفحه سال انتشار : 2005 سفارش ترجمه