![این مقاله در پایگاه ساینس دایرکت منتشر شده است Elsevier - ScienceDirect - الزویر - ساینس دایرکت](/assets/img/Elsevier-Logo.png)
Sensitivity of the crystal quality of SiGe layers grown at low temperatures by trisilane and germane
Keywords: تریسیان; Reduced-pressure chemical vapor deposition; Low temperature epitaxy; Silicon germanium; Trisilane; Oxygen contamination; Noise measurement