کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
1667551 | 1008852 | 2012 | 4 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Arsenic-doped Ge-spiked monoemitter SiGe:C heterojunction bipolar transistors by low-temperature trisilane based chemical vapor deposition
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی مواد
فناوری نانو (نانو تکنولوژی)
پیش نمایش صفحه اول مقاله
![عکس صفحه اول مقاله: Arsenic-doped Ge-spiked monoemitter SiGe:C heterojunction bipolar transistors by low-temperature trisilane based chemical vapor deposition Arsenic-doped Ge-spiked monoemitter SiGe:C heterojunction bipolar transistors by low-temperature trisilane based chemical vapor deposition](/preview/png/1667551.png)
چکیده انگلیسی
In this work we optimized the Ge-spiked monoemitter for the SiGe:C heterojunction bipolar transistor by using low-temperature trisilane based chemical vapor deposition to meet the requirements of high growth rate and high electrically-active doping levels of arsenic. The resultant devices show improvement of open-base breakdown voltage and no degradation of cutoff frequency with incorporation of a Ge spike in the monoemitter.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Thin Solid Films - Volume 520, Issue 8, 1 February 2012, Pages 3345–3348
Journal: Thin Solid Films - Volume 520, Issue 8, 1 February 2012, Pages 3345–3348
نویسندگان
Shuzhen You, Stefaan Decoutere, Ngoc Duy Nguyen, Stefaan Van Huylenbroeck, Arturo Sibaja-Hernandez, Rafael Venegas, Roger Loo, Kristin De Meyer,