کد مقاله کد نشریه سال انتشار مقاله انگلیسی نسخه تمام متن
1667551 1008852 2012 4 صفحه PDF دانلود رایگان
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Arsenic-doped Ge-spiked monoemitter SiGe:C heterojunction bipolar transistors by low-temperature trisilane based chemical vapor deposition
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه مهندسی مواد فناوری نانو (نانو تکنولوژی)
پیش نمایش صفحه اول مقاله
Arsenic-doped Ge-spiked monoemitter SiGe:C heterojunction bipolar transistors by low-temperature trisilane based chemical vapor deposition
چکیده انگلیسی

In this work we optimized the Ge-spiked monoemitter for the SiGe:C heterojunction bipolar transistor by using low-temperature trisilane based chemical vapor deposition to meet the requirements of high growth rate and high electrically-active doping levels of arsenic. The resultant devices show improvement of open-base breakdown voltage and no degradation of cutoff frequency with incorporation of a Ge spike in the monoemitter.

ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Thin Solid Films - Volume 520, Issue 8, 1 February 2012, Pages 3345–3348
نویسندگان
, , , , , , , ,