Keywords: نیمه هادی های باند وسیع; Aluminum nitride; X-ray diffraction; Agriculture waste; Raman spectroscopy; Wide band gap semiconductors;
مقالات ISI نیمه هادی های باند وسیع (ترجمه نشده)
مقالات زیر هنوز به فارسی ترجمه نشده اند.
در صورتی که به ترجمه آماده هر یک از مقالات زیر نیاز داشته باشید، می توانید سفارش دهید تا مترجمان با تجربه این مجموعه در اسرع وقت آن را برای شما ترجمه نمایند.
در صورتی که به ترجمه آماده هر یک از مقالات زیر نیاز داشته باشید، می توانید سفارش دهید تا مترجمان با تجربه این مجموعه در اسرع وقت آن را برای شما ترجمه نمایند.
Keywords: نیمه هادی های باند وسیع; Thermal transient measurements; Wide band gap semiconductors; Thermal standards
Emerging trends in wide band gap semiconductors (SiC and GaN) technology for power devices
Keywords: نیمه هادی های باند وسیع; Wide band gap semiconductors; SiC; GaN; MOSFET; HEMT; Power electronics;
Design of a normally-off diamond JFET for high power integrated applications
Keywords: نیمه هادی های باند وسیع; Diamond JFET; Diamond power devices; TCAD modeling; Incomplete ionization; Wide band gap semiconductors;
Multilayer Pt/Al based ohmic contacts for AlGaN/GaN heterostructures stable up to 600°C ambient air
Keywords: نیمه هادی های باند وسیع; AlGaN/GaN; Metallization; Harsh environments; Wide band gap semiconductors;
Band gap tuning and room temperature ferromagnetism in Co doped Zinc stannate nanostructures
Keywords: نیمه هادی های باند وسیع; Wide band gap semiconductors; Co precipitation; Surface morphology; Optical properties; Magnetization; Ferromagnetic ordering
Structural and electronic properties of zinc blende BxAl1−xNyP1−y quaternary alloys via first-principle calculations
Keywords: نیمه هادی های باند وسیع; FP-LAPW; DFT; Wide band gap semiconductors; III–V compounds; Quaternary alloys
Structural variation and optical properties of ZnO–LiGaO2 pseudo-binary system
Keywords: نیمه هادی های باند وسیع; Zinc oxide; Lithium gallium oxide; I–III–V2 semiconductor; Phase transformation; Energy band gap; Wide band gap semiconductors
Catecholate and 2,3-acenediolate complexes of d0 ions as prospective materials for molecular electronics and spintronics
Keywords: نیمه هادی های باند وسیع; Wide band gap semiconductors; Organic semiconductors; Acenes; Catecholates
Analysis of high-Q, gallium nitride nanowire resonators in response to deposited thin films
Keywords: نیمه هادی های باند وسیع; Atomic layer deposition; Crystal resonators; Gallium compounds; Molecular beam epitaxial growth; Nanoelectronics; Nanowires; Piezoelectric oscillations; Piezoelectric semiconductors; Q factor; Resonators; Wide band gap semiconductors; III–V semiconductors
Effect of thermal annealing on the Ir/Ag contact to p-type GaN
Keywords: نیمه هادی های باند وسیع; Annealing; Contact resistance; GaN; Ir; Ag; Wide band gap semiconductors;
An analysis of the effect of nitrogen and a screened (by free carriers) Coulomb field on the binding energy of hydrogenic shallow donors in GaInAsN
Keywords: نیمه هادی های باند وسیع; Gallium arsenide nitride; Wide band gap semiconductors; III–V semiconductors; Ground states; Binding energy; Novel method; Energy gap; Screened Coulomb potential
Material characteristics of sputter-deposited Zr-doped In2O3/ZnO heterostructures on sapphire (0001) substrates
Keywords: نیمه هادی های باند وسیع; Wide band gap semiconductors; Surface structure; Oxides;
Temperature dependent analytical model of sub-micron GaN MESFETs for microwave frequency applications
Keywords: نیمه هادی های باند وسیع; GaN MESFET; Wide band gap semiconductors; Transconductance
Advanced optical spectroscopy in nitrides and oxides: Some of the progress made during the past ten years
Keywords: نیمه هادی های باند وسیع; Wide band gap semiconductors; Nitrides; Microcavities;
Novel material concepts of transducers for chemical and biosensors
Keywords: نیمه هادی های باند وسیع; Wide band gap semiconductors; Biomolecules; Surface functionalization; XPS; Schtottky diodes; Gas sensing
Surface order dependent magnetic thin film growth: Fe on GaN(0 0 0 1)
Keywords: نیمه هادی های باند وسیع; Metal-semiconductor interfaces; Magnetic thin films; Wide band gap semiconductors;