کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
6942642 | 1644959 | 2018 | 12 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Emerging trends in wide band gap semiconductors (SiC and GaN) technology for power devices
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی کامپیوتر
سخت افزارها و معماری
پیش نمایش صفحه اول مقاله
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Microelectronic Engineering - Volumes 187â188, 5 February 2018, Pages 66-77
Journal: Microelectronic Engineering - Volumes 187â188, 5 February 2018, Pages 66-77
نویسندگان
Fabrizio Roccaforte, Patrick Fiorenza, Giuseppe Greco, Raffaella Lo Nigro, Filippo Giannazzo, Ferdinando Iucolano, Mario Saggio,