دانلود رایگان مقالات نشریه ISI الکترونیک حالت جامد

بررسی نویز فرکانس پایین فرآیند فن آوری 28 نانومتر با استفاده از فلوئور

Investigation of low-frequency noise of 28-nm technology process of high-k/metal gate p-MOSFETs with fluorine incorporation

5 صفحه فرمت PDF سال انتشار : 2016 دانلود متن کامل مقاله ISI سفارش ترجمه

مدل سازی سیگنال کوچک ترانزیستورهای جذب الکترون بالا بر روی سیارک و سیارک کاربید با توجه به مکانیزم از دست دادن بستر

Small signal modeling of high electron mobility transistors on silicon and silicon carbide substrate with consideration of substrate loss mechanism

5 صفحه فرمت PDF سال انتشار : 2016 دانلود متن کامل مقاله ISI سفارش ترجمه

Effects of BEOL on self-heating and thermal coupling in SiGe multi-finger HBTs under real operating condition

6 صفحه فرمت PDF سال انتشار : 2016 دانلود متن کامل مقاله ISI سفارش ترجمه

Electrical characterization and modeling of pulse-based forming techniques in RRAM arrays

9 صفحه فرمت PDF سال انتشار : 2016 دانلود متن کامل مقاله ISI سفارش ترجمه

Attainment of dual-band edge work function by using a single metal gate and single high-k dielectric via ion implantation for HP CMOS device

7 صفحه فرمت PDF سال انتشار : 2016 دانلود متن کامل مقاله ISI سفارش ترجمه

Analysis and modeling of flicker noise in lateral asymmetric channel MOSFETs

6 صفحه فرمت PDF سال انتشار : 2016 دانلود متن کامل مقاله ISI سفارش ترجمه

A high dynamic range power sensor based on GaAs MMIC process and MEMS technology

8 صفحه فرمت PDF سال انتشار : 2016 دانلود متن کامل مقاله ISI سفارش ترجمه

Ballistic modeling of InAs nanowire transistors

7 صفحه فرمت PDF سال انتشار : 2016 دانلود متن کامل مقاله ISI سفارش ترجمه

A compact drain current model for heterostructure HEMTs including 2DEG density solution with two subbands

6 صفحه فرمت PDF سال انتشار : 2016 دانلود متن کامل مقاله ISI سفارش ترجمه

Study on transconductance non-linearity of AlGaN/GaN HEMTs considering acceptor-like traps in barrier layer under the gate

5 صفحه فرمت PDF سال انتشار : 2016 دانلود متن کامل مقاله ISI سفارش ترجمه