کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
10249236 | 49474 | 2005 | 6 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Measurement of silicon and GaAs/Ge solar cell device parameters
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی شیمی
کاتالیزور
پیش نمایش صفحه اول مقاله
![عکس صفحه اول مقاله: Measurement of silicon and GaAs/Ge solar cell device parameters Measurement of silicon and GaAs/Ge solar cell device parameters](/preview/png/10249236.png)
چکیده انگلیسی
The device parameters (carrier lifetime, ideality factor), and physical parameters (built-in voltage, doping concentration) of silicon (Si) and gallium arsenide (GaAs/Ge) solar cells are measured at different temperatures using time domain technique. Carrier lifetime is calculated from open circuit voltage decay (OCVD). Built-in voltage and doping concentration are derived from the cell capacitance measured at different bias voltages. Ideality factor is derived from the I-V characteristics of solar cell. Carrier lifetime increases while built-in voltage decreases with increase in temperature. Ideality factor of the solar cell decreases with temperature.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Solar Energy Materials and Solar Cells - Volume 89, Issue 4, 15 December 2005, Pages 403-408
Journal: Solar Energy Materials and Solar Cells - Volume 89, Issue 4, 15 December 2005, Pages 403-408
نویسندگان
M.P. Deshmukh, J. Nagaraju,