کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
10249318 | 49494 | 2005 | 5 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Epitaxial lift-off process for GaAs solar cell on Si substrate
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی شیمی
کاتالیزور
پیش نمایش صفحه اول مقاله
![عکس صفحه اول مقاله: Epitaxial lift-off process for GaAs solar cell on Si substrate Epitaxial lift-off process for GaAs solar cell on Si substrate](/preview/png/10249318.png)
چکیده انگلیسی
This research has established the process to transplant GaAs solar cells from GaAs substrate to Si substrate without degrading the conversion efficiency. The conversion efficiency of GaAs solar cell bonded to Si substrate using epitaxial lift-off process is almost the same as that grown on GaAs substrate and is superior to that grown on Si substrate by heteroepitaxy.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Solar Energy Materials and Solar Cells - Volume 85, Issue 1, 1 January 2005, Pages 85-89
Journal: Solar Energy Materials and Solar Cells - Volume 85, Issue 1, 1 January 2005, Pages 85-89
نویسندگان
Hironori Taguchi, Tetsuo Soga, Takashi Jimbo,