کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
10364064 | 871361 | 2005 | 5 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
The SOI planar photonic crystal fabrication: patterning of Cr using Cl2/O2 plasma etching
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی کامپیوتر
سخت افزارها و معماری
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
RIE-plasma etching of sub-micron structures in 150-200-nm thick Cr layers deposited on 4-inch SiO2/Si/SiO2 wafers was investigated as a function of the gas composition, RF power, and resist type. An optimal recipe is obtained yielding a Cr etching rate of about 7 nm/min and a ratio of the resist to the Cr etching rates of about 2 in case of etching the sub-micron structures in Cr with a ZEP 520 resist mask. SEM investigations show nearly vertical sidewalls of features etched in Cr layers with a lateral size ranging from 0.3 to 0.5 μm.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Microelectronic Engineering - Volume 77, Issue 2, February 2005, Pages 139-143
Journal: Microelectronic Engineering - Volume 77, Issue 2, February 2005, Pages 139-143
نویسندگان
A.P. Milenin, C. Jamois, R.B. Wehrspohn, M. Reiche,