کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
10364408 | 871623 | 2011 | 6 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Back channel etch chemistry of advanced a-Si:H TFTs
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی کامپیوتر
سخت افزارها و معماری
پیش نمایش صفحه اول مقاله
![عکس صفحه اول مقاله: Back channel etch chemistry of advanced a-Si:H TFTs Back channel etch chemistry of advanced a-Si:H TFTs](/preview/png/10364408.png)
چکیده انگلیسی
We report on the effects of back channel etch depth and etchant chemistry on the electrical characteristics of inverted staggered advanced amorphous silicon thin-film transistors. We found that the optimum amorphous silicon film thickness in the channel is about 800-1100Â Ã
. Three dry etch, HBr + Cl2, C2F6, and CCl2F2 + O2, and one wet etch, KOH, chemistries are used for the back channel etch processing. We established that dry etch can be used for the back channel etch of amorphous silicon transistor without degrading its electrical characteristics.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Microelectronic Engineering - Volume 88, Issue 3, March 2011, Pages 207-212
Journal: Microelectronic Engineering - Volume 88, Issue 3, March 2011, Pages 207-212
نویسندگان
A. Kuo, T.K. Won, J. Kanicki,