کد مقاله کد نشریه سال انتشار مقاله انگلیسی نسخه تمام متن
10364412 871623 2011 7 صفحه PDF دانلود رایگان
عنوان انگلیسی مقاله ISI
RETRACTED: Impact of SOI thickness on device performance and gate oxide reliability of Ni fully silicide metal-gate strained SOI MOSFET
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه مهندسی کامپیوتر سخت افزارها و معماری
پیش نمایش صفحه اول مقاله
RETRACTED: Impact of SOI thickness on device performance and gate oxide reliability of Ni fully silicide metal-gate strained SOI MOSFET
چکیده انگلیسی
The authors also apologize and declare that they misunderstood the meaning, as well as the copyright consequences of the submission conditions for an extended article.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Microelectronic Engineering - Volume 88, Issue 3, March 2011, Pages 228-234
نویسندگان
, ,