کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
10364412 | 871623 | 2011 | 7 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
RETRACTED: Impact of SOI thickness on device performance and gate oxide reliability of Ni fully silicide metal-gate strained SOI MOSFET
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی کامپیوتر
سخت افزارها و معماری
پیش نمایش صفحه اول مقاله

چکیده انگلیسی
The authors also apologize and declare that they misunderstood the meaning, as well as the copyright consequences of the submission conditions for an extended article.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Microelectronic Engineering - Volume 88, Issue 3, March 2011, Pages 228-234
Journal: Microelectronic Engineering - Volume 88, Issue 3, March 2011, Pages 228-234
نویسندگان
Cheng-Li Lin, Wen-Kuan Yeh,