کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
10364417 | 871623 | 2011 | 6 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Schottky barrier SOI-MOSFETs with high-k La2O3/ZrO2 gate dielectrics
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی کامپیوتر
سخت افزارها و معماری
پیش نمایش صفحه اول مقاله
![عکس صفحه اول مقاله: Schottky barrier SOI-MOSFETs with high-k La2O3/ZrO2 gate dielectrics Schottky barrier SOI-MOSFETs with high-k La2O3/ZrO2 gate dielectrics](/preview/png/10364417.png)
چکیده انگلیسی
Schottky barrier SOI-MOSFETs incorporating a La2O3/ZrO2 high-k dielectric stack deposited by atomic layer deposition are investigated. As the La precursor tris(N,Nâ²-diisopropylformamidinato) lanthanum is used. As a mid-gap metal gate electrode TiN capped with W is applied. Processing parameters are optimized to issue a minimal overall thermal budget and an improved device performance. As a result, the overall thermal load was kept as low as 350, 400 or 500 °C. Excellent drive current properties, low interface trap densities of 1.9 Ã 1011 eVâ1 cmâ2, a low subthreshold slope of 70-80 mV/decade, and an ION/IOFF current ratio greater than 2 Ã 106 are obtained.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Microelectronic Engineering - Volume 88, Issue 3, March 2011, Pages 262-267
Journal: Microelectronic Engineering - Volume 88, Issue 3, March 2011, Pages 262-267
نویسندگان
C. Henkel, S. Abermann, O. Bethge, G. Pozzovivo, P. Klang, M. Stöger-Pollach, E. Bertagnolli,