کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
10364776 | 871819 | 2005 | 6 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Studies of Ti- and Ni-germanide Schottky contacts on n-Ge(1Â 0Â 0) substrates
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی کامپیوتر
سخت افزارها و معماری
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
In this study, we investigated fabrication and characteristics of germanides Schottky contacts on germanium. Ti- and Ni-germanides were fabricated on n-Ge(1 0 0) substrates by sputtering metal Ti or Ni on Ge followed by a furnace annealing. The influence of annealing temperature on the electrical properties of Ti- and Ni-germanide on n-Ge(1 0 0) substrates was investigated. The low temperature â¼300 °C annealing helped to obtain the optimized Schottky contact characteristics in both Ti-germanide/Ge and Ni-germanide/Ge substrates contacts. The well-behaved Ti-germanides/n-Ge Schottky contact with 0.34 eV barrier height was obtained by using a 300 °C annealing process.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Microelectronic Engineering - Volume 82, Issue 2, October 2005, Pages 93-98
Journal: Microelectronic Engineering - Volume 82, Issue 2, October 2005, Pages 93-98
نویسندگان
Dedong Han, Yi Wang, Dayu Tian, Wei Wang, Xiaoyan Liu, Jinfeng Kang, Ruqi Han,