کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
10364799 | 871824 | 2005 | 6 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Air-bridge interconnection and bondpad process for non-planar compound semiconductor devices
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی کامپیوتر
سخت افزارها و معماری
پیش نمایش صفحه اول مقاله

چکیده انگلیسی
We present a versatile metallic air-bridge process that can be used either for high relief compound semiconductor devices or interconnections schemes. Our technology uses conventional contact photolithography and does not require dry-etching techniques allowing a fast fabrication time, reliable production and cost effectiveness. It is based on the use of only one photoresist and one electroplating step.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Microelectronic Engineering - Volume 81, Issue 1, July 2005, Pages 53-58
Journal: Microelectronic Engineering - Volume 81, Issue 1, July 2005, Pages 53-58
نویسندگان
Gwenn Ulliac, Sophie Garidel, Jean-Pierre Vilcot, Pascal Tilmant,