کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
10364804 | 871824 | 2005 | 6 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Enhanced current gain in SiC power BJTs using a novel surface accumulation layer transistor concept
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی کامپیوتر
سخت افزارها و معماری
پیش نمایش صفحه اول مقاله
![عکس صفحه اول مقاله: Enhanced current gain in SiC power BJTs using a novel surface accumulation layer transistor concept Enhanced current gain in SiC power BJTs using a novel surface accumulation layer transistor concept](/preview/png/10364804.png)
چکیده انگلیسی
In this paper, we demonstrate that the current gain of SiC power bipolar transistors can be improved by as large as 100% by using a novel surface accumulation layer transistor concept in which a reflecting boundary in the emitter reduces the base current. The reasons for the improved current gain are explained based on simulation results.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Microelectronic Engineering - Volume 81, Issue 1, July 2005, Pages 90-95
Journal: Microelectronic Engineering - Volume 81, Issue 1, July 2005, Pages 90-95
نویسندگان
M. Jagadesh Kumar, Vinod Parihar,