کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
10364811 | 871824 | 2005 | 6 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Patterned silicon-on-insulator technology for RF Power LDMOSFET
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی کامپیوتر
سخت افزارها و معماری
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
This paper presents the first results of a practical SOI LDMOSFET in patterned SOI substrate that has been successfully prepared by masked SIMOX method. The device exhibits good electrical performance including a leakage current of 20Â nA, the flat output characteristic curves, a cutoff frequency up to 8Â GHz, and a voltage gain of 2.5Â dB at 2Â GHz. The proposed technology not only suppresses floating body effects effectively but also preserves SOI technology's advantage of low power assumption. Moreover, the process is compatible with conventional SOI technology.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Microelectronic Engineering - Volume 81, Issue 1, July 2005, Pages 150-155
Journal: Microelectronic Engineering - Volume 81, Issue 1, July 2005, Pages 150-155
نویسندگان
Xinhong Cheng, Zhaorui Song, Yemin Dong, Yuehui Yu, DaShen Shen,