کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
10364812 | 871824 | 2005 | 6 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Carbon hard masks for etching sub-90Â nm structures
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی کامپیوتر
سخت افزارها و معماری
پیش نمایش صفحه اول مقاله

چکیده انگلیسی
Carbon hard mask structures have been used to etch a variety of materials typically used in sub 90Â nm DRAM manufacture. The results indicate that carbon hard masks can be used very effectively to structure oxide, nitride and metal films giving the CD performance required for the technologies being investigated.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Microelectronic Engineering - Volume 81, Issue 1, July 2005, Pages 156-161
Journal: Microelectronic Engineering - Volume 81, Issue 1, July 2005, Pages 156-161
نویسندگان
Kevin A. Pears, Momtchil Stavrev, Alessia Scire, Ralf Koepe, Matthias Markert, Ulrich Egger, Lee Donohue,