کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
10406972 | 892819 | 2016 | 6 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
RF plasma treatment of shallow ion-implanted layers of germanium
ترجمه فارسی عنوان
درمان پلاسمایی رادیویی لایه های ایمپلنت کمپلین ژرمانیم
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
ژرمانیوم ایمپلنت، آنیلینگ پلاسما، آنیلینگ گرم سریع طیف سنجی رامان، پراش اشعه ایکس،
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
سایر رشته های مهندسی
مهندسی برق و الکترونیک
چکیده انگلیسی
RF plasma annealing (RFPA) and rapid thermal annealing (RTA) of high-dose implanted n-type and p-type amorphized Ge layers have been studied by Raman scattering spectroscopy and X-ray diffraction techniques. It is shown that recrystallization of n-Ge implanted by BF2+ ions requires higher RTA temperatures and power density of RFPA as compared to p-Ge implanted by P+ ions with the same dose. The RFPA has been performed at considerably lower temperatures than RTA and resulted in the formation of a sharp interface between the implanted and underlying Ge layers both for BF2+ ion implantation and P+ ions implantation.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Materials Science in Semiconductor Processing - Volume 42, Part 2, February 2016, Pages 204-209
Journal: Materials Science in Semiconductor Processing - Volume 42, Part 2, February 2016, Pages 204-209
نویسندگان
P.N. Okholin, V.I. Glotov, A.N. Nazarov, V.O. Yuchymchuk, V.P. Kladko, S.B. Kryvyi, P.M. Lytvyn, S.I. Tiagulskyi, V.S. Lysenko, M. Shayesteh, R. Duffy,