Molecular dynamics simulation of the early stages of self-interstitial clustering in silicon

ما مراحل اولیه خوشه بندی خودستایی در سیلیکون را با استفاده از تکنیک های شبیه سازی دینامیکی مولکولی مطالعه کرده ایم. ما نمونه های سیلیکونی بیش از 200،000 اتم را تولید کرده ایم که در آن 0.5٪ غلظت اضافی خودستایی را معرفی کردیم. سپس نمونه ها در چندین درجه حرارت داده شدند. در طی شبیه سازی ها، شکل گیری خوشه های بینابینی با ساختارهای مختلف اتمی که از کلاسترهای کروی و آمورف مانند، به تنظیمات پراکنده شدید نظیر زنجیرهای (110)، نقص های مثلثی و حلقه های ناهماهنگ و (100) } نقص های فلزی. این آخرین نوع نقصها، در حالی که در ژرمانیم رایج است، تا سال اخیر در سیلیکون مشاهده نشده است. مورفولوژی خاصی از خوشه های بین درختی شکل گرفته است که با دمای آنیلینگ مرتبط است، همانطور که در آزمایشات مشاهده می شود. از شبیه سازی های پویایی مولکولی، ما مکانیزم های اتمی را که منجر به تشکیل و رشد خوشه های بینابینی می شوند، با توجه ویژه به نقص های جدید {100} فلزی پیدا کرده ایم.