کد مقاله کد نشریه سال انتشار مقاله انگلیسی نسخه تمام متن
10406998 892830 2013 6 صفحه PDF دانلود رایگان
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Effect of crystal defects on mechanical properties relevant to cutting of multicrystalline solar silicon
ترجمه فارسی عنوان
اثر نقایص کریستال بر خواص مکانیکی مربوط به برش سیلیکون خورشیدی چند کریستالی
کلمات کلیدی
سیلیکون چندبلژیک، کاستی، برش دادن،
ترجمه چکیده
اثر نقایص کریستالی مانند دیوکسازی ها و مرز دانه بر رفتار برش سیلیکون خورشیدی چند منظوره بررسی شده است. آزمایشات الماسی نوشتن نشان دهنده تغییرات درون دانه ای در عمق بحرانی برش برای انتقال مجدد و تنش در ماده است. این با مشخص کردن تغییرات چگالی جابجایی در دانه های (100) و (311) یک ویفر سیلیکون چند منظوره ریخته گری و اندازه گیری مدول الاستیک مربوطه، سختی نانوذرات و چقرمگی شکستگی توضیح داده شده است. نشان داده شده است که ماژول کششی اندازه گیری شده بالاتر از مقادیر نظری سیلیکون تک بلوری بدون نقص در همان صفحه بلوری است. برای یک جهت گرانش داده شده، نشان داده شده است که تراکم جابجایی بالاتر با شدت شکست شکستگی و عمق بحرانی بزرگتر برش همبستگی دارد.
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه سایر رشته های مهندسی مهندسی برق و الکترونیک
چکیده انگلیسی
The effect of crystalline defects such as dislocations and grain boundary on the cutting behavior of multicrystalline solar silicon is investigated. Diamond scribing experiments reveal significant intra-granular variations in the critical depth of cut for ductile-to-brittle transition in the material. This is explained by characterizing the local dislocation density variations in (100) and (311) grains of a cast multicrystalline silicon wafer and measuring the corresponding elastic modulus, nanoindentation hardness, and fracture toughness. Measured elastic moduli are shown to be higher than theoretical values for defect-free single crystal silicon of the same crystallographic plane. For a given grain orientation, a higher dislocation density is shown to be correlated with higher fracture toughness and a larger critical depth of cut.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Materials Science in Semiconductor Processing - Volume 16, Issue 6, December 2013, Pages 1416-1421
نویسندگان
, ,