کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
10407059 | 892830 | 2013 | 4 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Formation of silicon nanocrystals by thermal annealing of low-pressure chemical-vapor deposited amorphous SiNx (x=0.16) thin films
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
سایر رشته های مهندسی
مهندسی برق و الکترونیک
پیش نمایش صفحه اول مقاله

چکیده انگلیسی
Silicon nanocrystals have been produced by thermal annealing of SiNx thin film obtained by low pressure chemical vapor deposition using a mixture between disilane and ammonia. Morphological, structural, and photoluminescence properties of the thin film were investigated using X-ray diffraction, scanning electron microscopy, Raman spectroscopy and photoluminescence spectroscopy. The results revealed a high crystallinity of film with a crystalline volume fraction exceeded 70%, and a dominance of silicon nanocrystallites having the sizes within the range 2.5-5Â nm and density ~1.98.1012/cm2. The PL peaks consist of nanocrystalline silicon and amorphous silicon. The luminescence from the silicon nanocrystals was dominant.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Materials Science in Semiconductor Processing - Volume 16, Issue 6, December 2013, Pages 1849-1852
Journal: Materials Science in Semiconductor Processing - Volume 16, Issue 6, December 2013, Pages 1849-1852
نویسندگان
Hakim Haoues, Hachemi Bouridah, Mahmoud Riad Beghoul, Farida Mansour, Riad Remmouche, Pierre Temple-Boyer,