کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
10407130 | 892872 | 2005 | 4 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Curvature of band overlap in InAs/GaSb Type II superlattices
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
سایر رشته های مهندسی
مهندسی برق و الکترونیک
پیش نمایش صفحه اول مقاله

چکیده انگلیسی
Tight binding calculations of the band alignment in InAs/GaSb type II broken-gap superlattices have been carried out with a valence band offset value of 0.57Â eV obtained at root temperature 300Â K, in good agreement with experiments. The valence band offset decreases with temperature, whereas the band overlap exhibits curvature with minimum at 550Â K. It is inferred that there is no possibility of band alignment transition due to temperature.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Materials Science in Semiconductor Processing - Volume 8, Issue 4, August 2005, Pages 463-466
Journal: Materials Science in Semiconductor Processing - Volume 8, Issue 4, August 2005, Pages 463-466
نویسندگان
A.J. Ekpunobi,