کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
10407143 | 892872 | 2005 | 5 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Photoluminescence characteristics of InP annealed in phosphorus and iron phosphide ambiences
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
سایر رشته های مهندسی
مهندسی برق و الکترونیک
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
Photoluminescence (PL) spectroscopy has been used to study InP annealed in phosphorus and iron phosphide ambiences. Noticeable PL emissions related with thermally induced defects have been detected in undoped InP annealed in iron phosphide ambience. Origins of the PL emissions have been discussed.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Materials Science in Semiconductor Processing - Volume 8, Issue 4, August 2005, Pages 531-535
Journal: Materials Science in Semiconductor Processing - Volume 8, Issue 4, August 2005, Pages 531-535
نویسندگان
Y.W. Zhao, H.W. Dong, J.M. Li, L.Y. Ling,