کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
10407146 | 892872 | 2005 | 5 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
A novel Ni capped high Q copper air gap spiral inductor
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
سایر رشته های مهندسی
مهندسی برق و الکترونیک
پیش نمایش صفحه اول مقاله
![عکس صفحه اول مقاله: A novel Ni capped high Q copper air gap spiral inductor A novel Ni capped high Q copper air gap spiral inductor](/preview/png/10407146.png)
چکیده انگلیسی
A high Q on-chip spiral inductor has been fabricated by 0.13 μm CMOS copper technology with air gap structure. The copper wires were capped with electroless Ni plating to prevent the copper from oxidizing. A Si3N4/SiO2 X-beam was designed to increase the mechanical strength of the inductor in air gap. The enhancement of maximum mechanical strength (MMS) of a spiral inductor with X-beams is more than 4500 times. The measured maximum quality factor (Q) of the suspending inductor and frequency at maximum Q are improved from 5.2 and 1.6 GHz of conventional spiral inductor to 7.3 and 2.1 GHz, respectively.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Materials Science in Semiconductor Processing - Volume 8, Issue 4, August 2005, Pages 545-549
Journal: Materials Science in Semiconductor Processing - Volume 8, Issue 4, August 2005, Pages 545-549
نویسندگان
C.S. Lin, Y.K. Fang, S.F. Chen, C.Y. Lin, T.H. Chou, S.M. Chen, M.C. Hsieh,